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公开(公告)号：TW201921100A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107133296
申请日：2018-09-21
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 荷西布斯 愛多 瑪莉亞 , HULSEBOS, EDO MARIA , 麥更 亨力克斯 喬漢那 蘭伯特 , MEGENS, HENRICUS JOHANNES LAMBERTUS , 厄戴瑪 尤米特 柯瑞 , ERDAMAR, AHMET KORAY , 梵席斯 洛克 喬漢斯 彼托斯 , VERHEES, LOEK JOHANNES PETRUS , 羅伊羅夫斯 威廉 賽納 克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 范 戴 凡 溫蒂 喬漢娜 瑪汀娜 , VAN DE VEN, WENDY JOHANNA MARTINA , 亞古比薩德 哈帝 , YAGUBIZADE, HADI , 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 布林克夫 拉夫 , BRINKHOF, RALPH , 余 陳清水 , VU, TRAN THANH THUY , 葛森 邁可 羅伯特 , GOOSEN, MAIKEL ROBERT , 凡 特 衛斯登得 瑪尹克 , VAN T WESTEINDE, MAAIKE , 寇偉田 , KOU, WEITIAN , 里澤斯特拉 馬諾克 , RIJPSTRA, MANOUK , 寇克斯 馬泰斯 , COX, MATTHIJS , 班捷恩 法蘭西斯科 哥登法蘭德斯 凱司柏 , BIJNEN, FRANCISCUS GODEFRIDUS CASPER
Abstract: 本發明揭示一種用於判定一感測器系統之一操作參數之一或多個最佳化值的方法，該感測器系統經組態以用於量測一基板之一屬性，該方法包含：判定關於複數個基板之一品質參數；判定針對該操作參數之複數個值使用該感測器系統所獲得的關於該複數個基板之量測參數；比較該品質參數之一基板間變化與該等量測參數之一映射之一基板間變化；及基於該比較判定該操作參數之該一或多個最佳化值。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于判定一传感器系统之一操作参数之一或多个最优化值的方法，该传感器系统经组态以用于量测一基板之一属性，该方法包含：判定关于复数个基板之一品质参数；判定针对该操作参数之复数个值使用该传感器系统所获得的关于该复数个基板之量测参数；比较该品质参数之一基板间变化与该等量测参数之一映射之一基板间变化；及基于该比较判定该操作参数之该一或多个最优化值。
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公开(公告)号：TW202022860A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW109104361
申请日：2017-10-17
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 寇偉田 , KOU, WEITIAN , 伊瑪 亞力山大 , YPMA, ALEXANDER , 霍特曼 馬克 , HAUPTMANN, MARC , 庫柏斯 米切爾 , KUPERS, MICHIEL , 維蓋茲-輝澤 莉迪亞 瑪麗安娜 , VERGAIJ-HUIZER, LYDIA MARIANNA , 瓦勒伯斯 艾瑞克 裘漢斯 瑪麗亞 , WALLERBOS, ERIK JOHANNES MARIA , 德爾維尼 艾瑞克 亨利 亞德里安 , DELVIGNE, ERIK HENRI ADRIAAN , 羅伊羅夫斯 威廉 賽納 克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 凡 德 山登 史帝芬 柯尼里斯 李歐朵魯斯 , VAN DER SANDEN, STEFAN CORNELIS THEODORUS , 高斯達 席德瑞克 迪賽爾 , GROUWSTRA, CEDRIC DESIRE , 戴克司 大衛 法蘭斯 賽門 , DECKERS, DAVID FRANS SIMON , 吉歐羅 曼紐爾 , GIOLLO, MANUEL , 道芙布希 伊莉娜 , DOVBUSH, IRYNA
IPC: G11C7/06 , H01L21/8244
Abstract: 本發明揭示一種判定與一基板上之一微影製程有關的一製程參數之一校正的方法及相關聯裝置。該微影製程包含複數個輪次，在該複數個輪次中之每一者期間，將一圖案施加至一或多個基板。該方法包含獲得描述該基板之一屬性的曝光前度量衡資料；獲得包含已對一或多個先前曝光基板執行的對該製程參數之一或多個量測的曝光後度量衡資料；基於該曝光前度量衡資料，將來自一或多個群組之一群組隸屬狀態指派給該基板；及基於該群組隸屬狀態及該曝光後度量衡資料，判定該製程參數之該校正。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种判定与一基板上之一微影制程有关的一制程参数之一校正的方法及相关联设备。该微影制程包含复数个轮次，在该复数个轮次中之每一者期间，将一图案施加至一或多个基板。该方法包含获得描述该基板之一属性的曝光前度量衡数据；获得包含已对一或多个先前曝光基板运行的对该制程参数之一或多个量测的曝光后度量衡数据；基于该曝光前度量衡数据，将来自一或多个群组之一群组隶属状态指派给该基板；及基于该群组隶属状态及该曝光后度量衡数据，判定该制程参数之该校正。
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公开(公告)号：TWI649641B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106135524
申请日：2017-10-17
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 寇偉田 , KOU, WEITIAN , 伊瑪 亞力山大 , YPMA, ALEXANDER , 霍特曼 馬克 , HAUPTMANN, MARC , 庫柏斯 米切爾 , KUPERS, MICHIEL , 維蓋茲-輝澤 莉迪亞 瑪麗安娜 , VERGAIJ-HUIZER, LYDIA MARIANNA , 瓦勒伯斯 艾瑞克 裘漢斯 瑪麗亞 , WALLERBOS, ERIK JOHANNES MARIA , 德爾維尼 艾瑞克 亨利 亞德里安 , DELVIGNE, ERIK HENRI ADRIAAN , 羅伊羅夫斯 威廉 賽納 克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 凡 德 山登 史帝芬 柯尼里斯 李歐朵魯斯 , VAN DER SANDEN, STEFAN CORNELIS THEODORUS , 高斯達 席德瑞克 迪賽爾 , GROUWSTRA, CEDRIC DESIRE , 戴克司 大衛 法蘭斯 賽門 , DECKERS, DAVID FRANS SIMON , 吉歐羅 曼紐爾 , GIOLLO, MANUEL , 道芙布希 伊莉娜 , DOVBUSH, IRYNA
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
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公开(公告)号：TW201804265A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106117119
申请日：2017-05-24
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 凡 哈倫 理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , 強布洛特 雷納 瑪麗亞 , JUNGBLUT, REINER MARIA , 凡 迪傑克 里昂 保羅 , VAN DIJK, LEON PAUL , 羅伊羅夫斯 威廉 賽納 克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 泰爾 溫 提波 , TEL, WIM TJIBBO , 亨奇 史蒂芬 , HUNSCHE, STEFAN , 凡 德 斯加 毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F1/36 , G03F9/7026 , G03F9/7034
Abstract: 本發明提議一種方法，其涉及獲得關於在一圖案化程序期間歸因於一基板表面之一區之構形的一預期聚焦偏移之資料。基於該資料來判定對與該基板表面之該區相關聯的一圖案化器件之一區之一透射或反射的一修改。在該圖案化程序期間使用根據該經判定修改而修改的該圖案化器件減輕該基板構形對該圖案化程序之一參數之一影響。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提议一种方法，其涉及获得关于在一图案化进程期间归因于一基板表面之一区之构形的一预期聚焦偏移之数据。基于该数据来判定对与该基板表面之该区相关联的一图案化器件之一区之一透射或反射的一修改。在该图案化进程期间使用根据该经判定修改而修改的该图案化器件减轻该基板构形对该图案化进程之一参数之一影响。
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公开(公告)号：TW201830154A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106135524
申请日：2017-10-17
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 寇偉田 , KOU, WEITIAN , 伊瑪 亞力山大 , YPMA, ALEXANDER , 霍特曼 馬克 , HAUPTMANN, MARC , 庫柏斯 米切爾 , KUPERS, MICHIEL , 維蓋茲-輝澤 莉迪亞 瑪麗安娜 , VERGAIJ-HUIZER, LYDIA MARIANNA , 瓦勒伯斯 艾瑞克 裘漢斯 瑪麗亞 , WALLERBOS, ERIK JOHANNES MARIA , 德爾維尼 艾瑞克 亨利 亞德里安 , DELVIGNE, ERIK HENRI ADRIAAN , 羅伊羅夫斯 威廉 賽納 克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 凡 德 山登 史帝芬 柯尼里斯 李歐朵魯斯 , VAN DER SANDEN, STEFAN CORNELIS THEODORUS , 高斯達 席德瑞克 迪賽爾 , GROUWSTRA, CEDRIC DESIRE , 戴克司 大衛 法蘭斯 賽門 , DECKERS, DAVID FRANS SIMON , 吉歐羅 曼紐爾 , GIOLLO, MANUEL , 道芙布希 伊莉娜 , DOVBUSH, IRYNA
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本發明揭示一種判定與一基板上之一微影製程有關的一製程參數之一校正的方法及相關聯裝置。該微影製程包含複數個輪次，在該複數個輪次中之每一者期間，將一圖案施加至一或多個基板。該方法包含獲得描述該基板之一屬性的曝光前度量衡資料；獲得包含已對一或多個先前曝光基板執行的對該製程參數之一或多個量測的曝光後度量衡資料；基於該曝光前度量衡資料，將來自一或多個群組之一群組隸屬狀態指派給該基板；及基於該群組隸屬狀態及該曝光後度量衡資料，判定該製程參數之該校正。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种判定与一基板上之一微影制程有关的一制程参数之一校正的方法及相关联设备。该微影制程包含复数个轮次，在该复数个轮次中之每一者期间，将一图案施加至一或多个基板。该方法包含获得描述该基板之一属性的曝光前度量衡数据；获得包含已对一或多个先前曝光基板运行的对该制程参数之一或多个量测的曝光后度量衡数据；基于该曝光前度量衡数据，将来自一或多个群组之一群组隶属状态指派给该基板；及基于该群组隶属状态及该曝光后度量衡数据，判定该制程参数之该校正。
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