公开(公告)号：CN112614684A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011222348.7

申请日：2015-09-14

Applicant: 西门子公司

Inventor： M.鲁里格 ,  G.萨潘

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/053 ,  C25D3/54

Abstract: 本发明涉及一种用于制备稀土永磁体、特别是高能稀土永磁体的方法，其包括步骤：‑制备具有稀土基的硬磁性纳米复合材料(S1)的永磁体基体；‑在所述永磁体基体上电化学沉积轻稀土材料钕Nd(S2)；‑在涂有钕Nd的永磁体基体上进行晶界扩散处理(S3)；以及相应地制备稀土永磁体。

公开(公告)号：CN105428049A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510582343.8

申请日：2015-09-14

Applicant: 西门子公司

Inventor： M.鲁里格 ,  G.萨潘

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/053 ,  C23F17/00 ,  C25D3/54

CPC classification number: H01F1/053 ,  B23K35/304 ,  B23K35/3046 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  H01F1/0577 ,  H01F41/0293

Abstract: 本发明涉及一种用于制备稀土永磁体、特别是高能稀土永磁体的方法，其包括步骤：-制备具有稀土基的硬磁性纳米复合材料(S1)的永磁体基体；-在所述永磁体基体上电化学沉积轻稀土材料钕Nd(S2)；-在涂有钕Nd的永磁体基体上进行晶界扩散处理(S3)；以及相应地制备稀土永磁体。