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公开(公告)号：CN101132028A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710142489.6
申请日：2007-08-27
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/072 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035245 , B82Y20/00 , H01L31/035254 , H01L31/03529 , H01L31/0392 , H01L31/03925 , H01L31/072 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 在有些实施方案中，本发明的目标在于包含涂有薄共形涂层的细长纳米结构的光伏器件(例如，太阳能电池)。这种共形涂层一般提供基本连续的电荷分离结。取决于实施方案，这类器件能包含p－n结(100)、p－i－n结(400)(在p和n层之间有本征薄隧道层)和/或异质结(600)。但在所有情况下，细长纳米结构是光伏器件中的活性光伏(PV)元件。此外，本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法。这类光伏或太阳能电池器件的成本与薄膜太阳能电池相当，但因共形的电荷分离结而具有更高的效率。此外，纳米结构还提供优良的陷光作用和吸光性。
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公开(公告)号：CN101752367A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910179027.0
申请日：2009-10-09
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/402
Abstract: 本发明涉及半导体器件及系统。本发明公开了一种半导体器件(400)。该半导体器件包括：第一导电类型的第一区域(402)；第二导电类型的第二区域(404)，邻近于第一区域设置以形成p-n结结构；第二导电类型的电阻修改区域(406)；和第二导电类型的场响应修改区域(408)，设置在电阻修改区域与第二区域之间，其中，场响应修改区域包括沿着该场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布。
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公开(公告)号：CN101752367B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910179027.0
申请日：2009-10-09
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/402
Abstract: 本发明涉及半导体器件及系统。本发明公开了一种半导体器件(400)。该半导体器件包括：第一导电类型的第一区域(402)；第二导电类型的第二区域(404)，邻近于第一区域设置以形成p-n结结构；第二导电类型的电阻修改区域(406)；和第二导电类型的场响应修改区域(408)，设置在电阻修改区域与第二区域之间，其中，场响应修改区域包括沿着该场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布。
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公开(公告)号：CN101132028B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710142489.6
申请日：2007-08-27
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/072 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035245 , B82Y20/00 , H01L31/035254 , H01L31/03529 , H01L31/0392 , H01L31/03925 , H01L31/072 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 在有些实施方案中，本发明的目标在于包含涂有薄共形涂层的细长纳米结构的光伏器件(例如，太阳能电池)。这种共形涂层一般提供基本连续的电荷分离结。取决于实施方案，这类器件能包含p-n结(100)、p-i-n结(400)(在p和n层之间有本征薄隧道层)和/或异质结(600)。但在所有情况下，细长纳米结构是光伏器件中的活性光伏(PV)元件。此外，本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法。这类光伏或太阳能电池器件的成本与薄膜太阳能电池相当，但因共形的电荷分离结而具有更高的效率。此外，纳米结构还提供优良的陷光作用和吸光性。
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