公开(公告)号：CN108987223A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810569144.7

申请日：2018-06-05

Applicant: 通用电气公司

Inventor： E.兰普 ,  E.艾玛奇 ,  A.马科内 ,  M.赫伯特 ,  M.乌特施

IPC: H01J35/06

Abstract: 用于在x射线管内使用的扁平发射器由电子发射材料形成，该电子发射材料包括一个或更多个应力补偿特征，该应力补偿特征能够降低归因于热膨胀和/或离心加速力的扁平发射器中的总应力。用于降低扁平发射器中的总应力的发射器的特征直接地形成于发射器上，形成于用于发射器的支撑结构上且连接至发射器，或其组合。

公开(公告)号：CN103258696A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310149402.3

申请日：2008-04-18

Applicant: 通用电气公司

Inventor： G.A.施泰因拉格 ,  M.赫伯特

IPC: H01J9/02 ,  H01J35/10

CPC classification number: H01J35/10 ,  H01J2235/083

Abstract: 钎焊k射线管靶的发射层。一种用于产生x射线的靶，包括：包含至少一层靶材料的靶衬底(84)、包含至少一层轨迹材料的轨迹(86)、通过高能量电子撞击到设定的轨迹上而产生x射线的该轨迹、以及将靶衬底(84)附着到该轨迹的钎焊接头(88)。

公开(公告)号：CN108987223B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201810569144.7

申请日：2018-06-05

Applicant: 通用电气公司

Inventor： E.兰普 ,  E.艾玛奇 ,  A.马科内 ,  M.赫伯特 ,  M.乌特施

IPC: H01J35/06

Abstract: 用于在x射线管内使用的扁平发射器由电子发射材料形成，该电子发射材料包括一个或更多个应力补偿特征，该应力补偿特征能够降低归因于热膨胀和/或离心加速力的扁平发射器中的总应力。用于降低扁平发射器中的总应力的发射器的特征直接地形成于发射器上，形成于用于发射器的支撑结构上且连接至发射器，或其组合。