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公开(公告)号：CN110600617A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910887760.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种以氯化铵改性氧化锌作为电子传输材料的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于光伏技术领域，该无机钙钛矿太阳能电池中以氯化铵改性氧化锌作为电子传输材料，有助于形成高质量钙钛矿吸收层，同时氯化铵改性氧化锌电子传输层与CsPbIBr2钙钛矿吸光层导带位置相近，可在一定程度上提高电池开路电压，从而提高太阳能电池的光电转化效率，此外，本发明采用小分子结构的Spiro-OMeTAD作为空穴传输层，可与CsPbIBr2钙钛矿吸光层保持良好的接触，更好地实现空穴载流子的传输。该方法具有制备温度低、制备条件方便简单等优点，故可直接在柔性基底上制备，从而能够制备得到具有高的光电转化效率的太阳能电池，适合扩大化生产。
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公开(公告)号：CN113481000B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202110777018.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于纳米晶材料制备技术领域。本发明公开了一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法，主要采用热注入的方法进行制备，实现对零维铯铜溴纳米晶进行铅掺杂，可以在零维铯铜溴纳米晶自身拥有的自陷态激子蓝光宽光谱发射的基础上，新出现由铅掺杂引起的自陷态激子红光宽光谱发射，使其可以在零维铅掺杂铯铜溴中同时出现两种自陷态激子发射，这两种发射的PLQY相当且都具有宽的发射光谱，因此出现了覆盖整个可见光光谱的白光发射；同时由于自陷态激子导致的宽的斯托克斯位移，几乎没有自吸收现象。本发明的制备方法具有低成本、低条件、高可重复性等优势。
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公开(公告)号：CN110600617B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910887760.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种以氯化铵改性氧化锌作为电子传输材料的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于光伏技术领域，该无机钙钛矿太阳能电池中以氯化铵改性氧化锌作为电子传输材料，有助于形成高质量钙钛矿吸收层，同时氯化铵改性氧化锌电子传输层与CsPbIBr2钙钛矿吸光层导带位置相近，可在一定程度上提高电池开路电压，从而提高太阳能电池的光电转化效率，此外，本发明采用小分子结构的Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层，可与CsPbIBr2钙钛矿吸光层保持良好的接触，更好地实现空穴载流子的传输。该方法具有制备温度低、制备条件方便简单等优点，故可直接在柔性基底上制备，从而能够制备得到具有高的光电转化效率的太阳能电池，适合扩大化生产。
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公开(公告)号：CN113481000A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110777018.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于纳米晶材料制备技术领域。本发明公开了一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法，主要采用热注入的方法进行制备，实现对零维铯铜溴纳米晶进行铅掺杂，可以在零维铯铜溴纳米晶自身拥有的自陷态激子蓝光宽光谱发射的基础上，新出现由铅掺杂引起的自陷态激子红光宽光谱发射，使其可以在零维铅掺杂铯铜溴中同时出现两种自陷态激子发射，这两种发射的PLQY相当且都具有宽的发射光谱，因此出现了覆盖整个可见光光谱的白光发射；同时由于自陷态激子导致的宽的斯托克斯位移，几乎没有自吸收现象。本发明的制备方法具有低成本、低条件、高可重复性等优势。
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公开(公告)号：CN113072931A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110340198.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅单包铯铜氯量子点及其制备方法和应用，属于量子点技术领域。本发明利用低温包覆技术，在较低温度下利用前驱体捕捉空气中的水并且进行快速水解，在铯铜氯量子点表面成功包覆氧化硅，氧化硅包覆不仅可以有效钝化铯铜氯量子点的表面缺陷，增加其发光量子产率，还可以提高量子点的稳定性。该氧化硅单包铯铜氯量子点薄膜发光量子产率高达76％，利用该氧化硅单包铯铜氯量子点制备的白光发光二极管具有发光显色指数高和色温适宜等优势，且稳定性好。在可见光通信中作为光源，其‑3dB带宽为420KHz，在OFDM模式下的比特加载达到了4bit/s/Hz。该方法具有重复性好、无高温高压条件需求、成本较低等特点，适合扩大化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111661867B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010622329.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种无铅铯铜氯纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于纳米材料合成及应用领域。本发明在不改变制备原料的前提下，在热注入过程中，通过改变向含有Cu+和Cl‑两种离子的溶液中加入Cs‑OA(油酸)前驱体时的温度，分别制备得到含有CsCu2Cl3纳米晶和Cs3Cu2Cl5纳米晶的无铅铯铜氯纳米晶，在紫外激发下分别发蓝色和绿色的光，提高光致发光量子产率(PLQY)，从而解决了现有技术中由于Cu元素取代Pb元素而导致的纳米晶材料光致发光效率(PLQY)较低、仅在蓝紫光(400～470nm)范围发光的问题，可以用于制备具有发光显色指数(CRI)高和色温(CCT)适宜等优势的暖白光LED器件。
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公开(公告)号：CN110791285A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911061377.7
申请日：2019-11-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅单包CsPbBr3量子点及其制备方法和应用，采用一步常温合成方法制备二氧化硅单包覆CsPbBr3量子点，具有反应和搅拌时间短的特点，并且在制备过程中不需要为了促使APTES水解而额外添加水，从而避免了量子点在水中的水解；制备的材料中一个二氧化硅壳中仅包覆了一个CsPbBr3量子点，而且还能维持量子点的正交形貌。本发明制备的二氧化硅单包的CsPbBr3量子点具有很好的稳定性，能够解决CsPbBr3量子点易受湿度和氧影响的问题，还可以提高发光元件白色发射性能，将二氧化硅单包CsPbBr3量子点应用于白光LED可获得高显色指数(91)的暖白光LED，流明效率为40.6Lm W-1。
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公开(公告)号：CN115385804A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210955317.5
申请日：2022-08-10
Applicant: 重庆大学
IPC: C07C211/63 , C07C209/00 , C09K11/06 , C09K11/61 , C30B7/06 , C30B29/54 , G01T1/202
Abstract: 本发明涉及一种白光胺铜卤单晶及其低温制备方法和应用，属于固体单晶材料合成及应用领域。本发明的白光胺铜卤单晶可以在低温下不使用复杂设备而制备得到，白光胺铜卤单晶生长时间短、尺寸较大，并且具有高效率的宽光谱白光发射(由于其中铜卤单元可以在一定分子量的胺结构中多自由度变形)，可以解决目前商用X射线闪烁体材料制备周期长、工艺复杂、成本高、高耗能以及光谱范围有限、普适性低等问题产。
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公开(公告)号：CN110791285B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201911061377.7
申请日：2019-11-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅单包CsPbBr3量子点及其制备方法和应用，采用一步常温合成方法制备二氧化硅单包覆CsPbBr3量子点，具有反应和搅拌时间短的特点，并且在制备过程中不需要为了促使APTES水解而额外添加水，从而避免了量子点在水中的水解；制备的材料中一个二氧化硅壳中仅包覆了一个CsPbBr3量子点，而且还能维持量子点的正交形貌。本发明制备的二氧化硅单包的CsPbBr3量子点具有很好的稳定性，能够解决CsPbBr3量子点易受湿度和氧影响的问题，还可以提高发光元件白色发射性能，将二氧化硅单包CsPbBr3量子点应用于白光LED可获得高显色指数(91)的暖白光LED，流明效率为40.6Lm W‑1。
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公开(公告)号：CN111661867A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010622329.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种无铅铯铜氯纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于纳米材料合成及应用领域。本发明在不改变制备原料的前提下，在热注入过程中，通过改变向含有Cu+和Cl-两种离子的溶液中加入Cs-OA(油酸)前驱体时的温度，分别制备得到含有CsCu2Cl3纳米晶和Cs3Cu2Cl5纳米晶的无铅铯铜氯纳米晶，在紫外激发下分别发蓝色和绿色的光，提高光致发光量子产率(PLQY)，从而解决了现有技术中由于Cu元素取代Pb元素而导致的纳米晶材料光致发光效率(PLQY)较低、仅在蓝紫光(400～470nm)范围发光的问题，可以用于制备具有发光显色指数(CRI)高和色温(CCT)适宜等优势的暖白光LED器件。
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