公开(公告)号：CN102723415A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210211799.X

申请日：2012-06-25

Applicant: 钟伟荣

Inventor： 钟伟荣 ,  熊威 ,  李政宪

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提出一种倒装型高压交/直流发光二极管及其制作方法，该发光二极管从上至下包括打线电极，蓝宝石衬底，N-GaN层，发光层，P-GaN层，电流扩散层，绝缘层，金属反射层，绝缘平坦层，邦定金属介层，支撑基板，蓝宝石衬底两侧具有等离子干法腐蚀形成的粗糙面，蓝宝石衬底中具有激光挖孔形成的通孔，该通孔中填有金属，使N-GaN层上的电极和打线电极相连接；该发光二极管将晶圆倒装邦定在一散热佳的基板上，正负电极分别位于芯片上下侧，芯片上每一个发光单元因倒装形成一倒梯形结构，并由反射层包覆，形成向上开口具有反射杯效果的结构，同时可减少电极对出光方向的遮蔽，此一结构由于芯片上方只有负电极，可大大方便高压发光二极管的发光单元布局设计。

公开(公告)号：CN102723429A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210211855.X

申请日：2012-06-25

Applicant: 钟伟荣

Inventor： 钟伟荣 ,  熊威 ,  李政宪

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提出一种类垂直式发光二极管，从上至下包括打线电极，蓝宝石衬底，N-GaN层，发光层，P-GaN层，电流扩散层，绝缘层，邦定金属介层，支撑基板，蓝宝石衬底两侧均具有等离子干法腐蚀形成的粗糙面，该蓝宝石衬底中具有激光挖孔所形成的通孔，并通过金属回填通孔，使N-GaN层上的电极和打线电极相连接；这种类垂直式发光二极管结合正装结构、倒装结构和垂直结构的优点，保留了原来外延成长所使用的蓝宝石衬底，避免垂直结构的发光二极管在激光剥离蓝宝石衬底所造成的应力损伤，省去倒装结构的发光二极管植球固晶等繁琐且精密的工艺，提供了发光二极管另一个增加出光效率和改善散热的技术途径。