公开(公告)号：CN107678247A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710743725.3

申请日：2017-08-25

Applicant: 长安大学

Inventor： 文常保 ,  姚世朋 ,  全思 ,  朱玮 ,  洪吉童 ,  李演明 ,  巨永锋

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件，包括半导体衬底，半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层；金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块；导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块；保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层，其中第二金属电极与光敏材料相接触，第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用，具有应用范围广和使用方便的优点。

公开(公告)号：CN107678247B

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201710743725.3

申请日：2017-08-25

Applicant: 长安大学

Inventor： 文常保 ,  姚世朋 ,  全思 ,  朱玮 ,  洪吉童 ,  李演明 ,  巨永锋

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件，包括半导体衬底，半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层；金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块；导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块；保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层，其中第二金属电极与光敏材料相接触，第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用，具有应用范围广和使用方便的优点。

公开(公告)号：CN107101718B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710358063.8

申请日：2017-05-19

Applicant: 长安大学

Inventor： 文常保 ,  姚世朋 ,  洪吉童 ,  朱玮 ,  李演明 ,  茹锋 ,  巨永锋

IPC: G01J1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器，包括第一电源V1、第二电源V2、开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块、求差模块、放大模块、增大模块；第一电源V1或第二电源依次V2与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路；忆阻器模块包括忆阻器Mz1、Mz2、Mj1和Mj2，Mj1和Mj2完全相同，Mz1与Mj1串联，Mz2与Mj2串联，Mz1和Mj1组成的串联支路与Mz2和Mj2形成的串联支路相并联；求差模块与忆阻器模块相连，放大模块与求差模块相连，增大模块与放大模块相连。本发明的曝光量测量范围大，灵敏度高，适用于大曝光量及长时间曝光的测量，而且电路简单，避免了测量过程中忆阻器阻值变化对传感器的回路电流和曝光量测量的影响，测量误差小，使用方便。

公开(公告)号：CN107101718A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710358063.8

申请日：2017-05-19

Applicant: 长安大学

Inventor： 文常保 ,  姚世朋 ,  洪吉童 ,  朱玮 ,  李演明 ,  茹锋 ,  巨永锋

IPC: G01J1/00

CPC classification number: G01J1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器，包括第一电源V1、第二电源V2、开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块、求差模块、放大模块、增大模块；第一电源V1或第二电源依次V2与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路；忆阻器模块包括忆阻器Mz1、Mz2、Mj1和Mj2，Mj1和Mj2完全相同，Mz1与Mj1串联，Mz2与Mj2串联，Mz1和Mj1组成的串联支路与Mz2和Mj2形成的串联支路相并联；求差模块与忆阻器模块相连，放大模块与求差模块相连，增大模块与放大模块相连。本发明的曝光量测量范围大，灵敏度高，适用于大曝光量及长时间曝光的测量，而且电路简单，避免了测量过程中忆阻器阻值变化对传感器的回路电流和曝光量测量的影响，测量误差小，使用方便。