一种二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN114990699A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210568432.7

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 本发明涉及一种二维双层有机‑无机杂化钙钛矿半导体晶体、制备方法和用途,所述的无机‑有机杂化半导体材料的化学式为(NH3CH2CH2CH2NH2CH3)(Cs)Pb2Br7。本发明的二维双层有机‑无机杂化钙钛矿半导体晶体制备成平面光电导探测器可实现对本征吸收光谱的高灵敏度探测。利用波长为405nm的激光照射采用本发明单晶制备的晶体探测器件,测试其光电响应,入射光的功率密度为10.2mW/cm2时,该晶体探测器件表现出明显的光电导效应Iph=17nA,该结果表明该材料用作光电导探测器件具有潜在的应用价值。

    一种二维手性D-J型杂化双钙钛矿晶体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN114958370A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210565851.5

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 本发明涉及一种二维手性D‑J型杂化双钙钛矿晶体及其制备方法和用途,所述的二维手性D‑J型杂化双钙钛矿晶体的化学式为(NH3C6H4CHCH2NH3)2AgBiI8。本发明的晶体制备成平面光电导探测器可实现对本征吸收光谱的高灵敏度探测。利用波长为637的激光照射该单晶晶体探测器件,测试其光电响应。当入射光的功率密度为268.9mW/cm2时,该晶体器件表现出明显的光电导效应,光电流和暗电流的比值(Iph/Idark)可以达到201。该结果表明该材料用作光电导探测器件具有潜在的应用价值。

    一种二维手性D-J型杂化双钙钛矿晶体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN114958370B

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202210565851.5

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 本发明涉及一种二维手性D‑J型杂化双钙钛矿晶体及其制备方法和用途,所述的二维手性D‑J型杂化双 钙 钛 矿 晶 体 的 化 学式为(NH3C6H4CHCH2NH3)2AgBiI8。本发明的晶体制备成平面光电导探测器可实现对本征吸收光谱的高灵敏度探测。利用波长为637的激光照射该单晶晶体探测器件,测试其光电响应。当入射光的功率密度为268.9mW/cm2时,该晶体器件表现出明显的光电导效应,光电流和暗电流的比值(Iph/Idark)可以达到201。该结果表明该材料用作光电导探测器件具有潜在的应用价值。

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