公开(公告)号：CN104760923B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410806304.7

申请日：2014-12-22

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 田中健一 ,  大川尚信 ,  矢泽久幸 ,  朝比奈宏行 ,  臼井学 ,  石曽根昌彦 ,  梅津英治

IPC: B81B7/02 ,  G01L9/04

Abstract: 本发明提供一种即使形成基于铝的配线层也能够抑制由热滞引起的输出变动的MEMS传感器。在正方形的MEMS传感器(1)的4个角部形成有金的电极片(16a、16b、16c、16d)。电极片(16a、16b、16c、16d)与检测元件部(15a、15b、15c)通过连结配线层(20、25)导通。连结配线层(20、25)由铝的下部配线层(21、26)和金的上部配线层(22、27)构成。通过以适当的长度将铝的下部配线层(21、26)平衡良好地配置，能够抑制因热滞引起的基于残留应力的输出变动。

公开(公告)号：CN104760923A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410806304.7

申请日：2014-12-22

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 田中健一 ,  大川尚信 ,  矢泽久幸 ,  朝比奈宏行 ,  臼井学 ,  石曽根昌彦 ,  梅津英治

IPC: B81B7/02 ,  G01L9/04

Abstract: 本发明提供一种即使形成基于铝的配线层也能够抑制由热滞引起的输出变动的MEMS传感器。在正方形的MEMS传感器(1)的4个角部形成有金的电极片(16a、16b、16c、16d)。电极片(16a、16b、16c、16d)与检测元件部(15a、15b、15c)通过连结配线层(20、25)导通。连结配线层(20、25)由铝的下部配线层(21、26)和金的上部配线层(22、27)构成。通过以适当的长度将铝的下部配线层(21、26)平衡良好地配置，能够抑制因热滞引起的基于残留应力的输出变动。