公开(公告)号：CN1815802A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200610006454.5

申请日：2006-01-20

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 石垣功 ,  清水祐一 ,  高野敦雄 ,  须藤义人 ,  柴山贵光

IPC: H01P1/36

Abstract: 一种小型化且性能良好的非可逆电路元件，其将第1、第2、第3中心导体(6、7、8)设在多层基板(5)上，同时将构成第1电容器(C4)的第1、第2电极体(14、15)设在多层基板上，在中心导体(6、7、8)的端口部(6a、7a、8a)和磁轭之间设有多个芯片型电容器(C1、C2、C3)，在端口(6a、7a、8a)侧和磁轭之间并排连接有第1电容器(C4)和芯片型电容器(C1、C2、C3)，因此能够增大电容值，使中心导体的长度变短，而谋求小型化，同时容易形成第1电容器(C4)，据此得到良好的生产效率且低廉的成本。

公开(公告)号：CN1722512A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510082527.4

申请日：2005-07-07

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 须藤义人 ,  清水祐一 ,  柴山贵光

IPC: H01P1/32 ,  H01P1/38 ,  H04B1/38

Abstract: 本发明的非可逆电路元件，设置有第1磁轭(1)，以及设置在上板(1a)的下面的磁体(2)，以及具有底板(3a)，与第1磁轭(1)构成磁闭合回路的第2磁轭(3)，以及设置在底板(3a)与磁体(2)之间的铁氧体部件(5)，以及按照经电介质(10)一部分在上下方向上相交叉方式设置在铁氧体部件(5)上的第1、第2、第3中心导体(6、7、8)，以及与该中心导体相连接的电容(C1、C2、C3)，中心导体(6、7、8)中，设有频率调整用切入部(14)，及/或切削部(18)，因此，能够得到一种与以前相比能够进行细微的频率调整的高精度的非可逆电路元件。