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公开(公告)号：CN103108981B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180037701.7
申请日：2011-07-01
Applicant: 阿普塔尔法国简易股份公司
CPC classification number: C23C14/48 , A61F9/00 , A61L2/16 , B05B11/3001 , B05B15/18 , B65D83/48 , C03C23/0055 , C08J7/123 , C08J7/18
Abstract: 本发明涉及流体产品分配设备的表面处理方法。该方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述待处理表面具有抗摩擦性能。所述多电荷离子选自氦（He）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe），离子植入进行至0至3μm的深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103108981A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180037701.7
申请日：2011-07-01
Applicant: 阿普塔尔法国简易股份公司
CPC classification number: C23C14/48 , A61F9/00 , A61L2/16 , B05B11/3001 , B05B15/18 , B65D83/48 , C03C23/0055 , C08J7/123 , C08J7/18
Abstract: 本发明涉及流体产品分配设备的表面处理方法。该方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述待处理表面具有抗摩擦性能。所述多电荷离子选自氦（He）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe），离子植入进行至0至3μm的深度。
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公开(公告)号：CN103108980A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180037693.6
申请日：2011-07-01
Applicant: 阿普塔尔法国简易股份公司
CPC classification number: C23C14/48 , A61L2/14 , A61M15/00 , A61M2205/0233 , C03C23/0055 , C08J7/123 , C08J2323/06 , C08J2323/12 , C08J2327/06 , C08J2327/18
Abstract: 本发明涉及流体产品分配设备的表面处理方法，所述方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述待处理表面具有对于所述流体产品的抗粘附性能，所述多电荷离子选自氦（He）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe），离子植入进行至0至3μm的深度。
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公开(公告)号：CN103097571A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180037686.6
申请日：2011-07-01
Applicant: 阿普塔尔法国简易股份公司
IPC: C23C14/48 , A61F9/00 , A61L2/16 , C08J7/18 , H01J37/317 , A61J1/00 , A61M15/00 , B65D1/00 , B05B11/00 , A61M11/00 , C08J7/12 , C23C14/46
CPC classification number: B01J19/085 , A61M15/00 , A61M2205/0205 , B05B11/0005 , B65D81/24 , B65D83/75 , C03C23/0055 , C08J7/123 , C08J7/18 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/2004
Abstract: 本发明涉及流体产品分配设备的表面处理方法。该方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述表面具有限制在改性的所述表面上形成生物膜并因而限制细菌的出现和/或繁殖的性能。所述多电荷离子选自氦、硼、碳、氮、氧、氖、氩、氪、氙，离子植入进行至0至3μm的深度。
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公开(公告)号：CN103097573A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180037698.9
申请日：2011-07-01
Applicant: 阿普塔尔法国简易股份公司
CPC classification number: C23C14/48 , A61L2/14 , A61M15/009 , A61M2205/0233 , B05B11/00 , B05D5/00 , B05D5/08 , C03C23/0055 , C08J7/123 , C23C14/56
Abstract: 本发明涉及流体产品分配设备的表面处理方法。该方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述待处理表面具有防止所述流体产品和改性的所述待处理表面之间的相互作用的阻隔性能。所述多电荷离子选自氦、硼、碳、氮、氧、氖、氩、氪、氙，离子植入进行至0至3μm的深度。
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公开(公告)号：CN103097572A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180037687.0
申请日：2011-07-01
Applicant: 阿普塔尔法国简易股份公司
CPC classification number: C23C14/48 , A61M15/00 , A61M2205/0222 , A61M2205/0233 , A61M2205/025 , C08J7/123 , C08J2323/06
Abstract: 本发明涉及流体产品的分配设备的弹性体表面的处理方法，所述方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对所述设备的待处理的至少一个弹性体表面进行改性的步骤，改性的所述弹性体表面限制制造和/或组装过程中弹性体表面的粘附，所述多电荷离子选自氦（He）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe），离子植入进行至0至3μm的深度。
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