光电装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102237440A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN201110032653.4

    申请日:2011-01-30

    Inventor: 明承烨 朴俊亨

    CPC classification number: H01L31/0201 H01L31/0463 H01L31/0465 Y02E10/50

    Abstract: 本发明涉及光电装置及其制造方法,该方法包括以下步骤:在基板上依次形成第一电极、光电转换层和第二电极;形成用来覆盖所述第二电极的绝缘层;形成沟槽线,即形成第一沟槽线和第二沟槽线以使所述第二电极暴露在所述第二电极上的所述绝缘层上,且在所述第一沟槽线和所述第二沟槽线之间至少包括两个光电单元;形成导电性母线,将导电物质填充在所述第一沟槽线和第二沟槽线以形成第一导电性母线和第二导电性母线。

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