公开(公告)号：CN106548809A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201510723965.8

申请日：2015-09-22

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 李尧桥 ,  门广旭 ,  邱建顺 ,  朱忠益

IPC: G11C29/44 ,  G11C16/08

CPC classification number: G06F11/2094 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0679 ,  G06F2201/805 ,  G06F2201/85 ,  G11C29/04 ,  G11C29/42 ,  G11C29/44 ,  G11C29/76 ,  G11C29/765 ,  G11C2029/0403 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2029/4402

Abstract: 一种处理缺陷非易失性存储器，非易失性存储器(NVM)系统具有包括多个存储器段的主NVM扇区、用于保存恢复记录的冗余NVM扇区、具有适于保存主地址和替换地址对的多个存储器区域的地址匹配电路、以及NVM控制器。NVM控制器被配置为确定主NVM扇区的第一存储器段是否不再可用，并因此(i)在冗余NVM扇区中创建用于存储的恢复记录，所述恢复记录包括第一存储器段的地址和与第一存储器段关联的数据，以及(ii)向地址匹配电路增加一对主地址和替换地址对，其中主地址是第一存储器段的地址且替换地址识别与第一存储器段关联的数据的替换位置。