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公开(公告)号：CN106672888A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201511010440.6
申请日：2015-11-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/85005 , H01L2224/97 , H01L2924/15151 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , B81C1/00261 , B81B7/0006 , B81B7/007
Abstract: 本发明涉及封装集成电路管芯的方法和器件。一种具有开口和穿衬底互连结构的封装衬底附接至临时载体(诸如粘附膜)。将IC管芯的有源表面与开口之内的载体衬底接触地放置，以暂时将该管芯附接至载体衬底。将另一管芯附接至离该载体衬底最远的第一管芯的一侧。根据实施例，使用环氧树脂使两个管芯彼此附接，使得它们各自的非有源表面彼此面对。在第二管芯的有源表面处的互连和封装衬底之间连接键合引线。然后封装该引线。在移除该载体衬底之后，形成累积互连结构，该累积互连结构包括封装衬底的外部互连(例如球栅阵列封装的焊球)。
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公开(公告)号：CN102969252B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210317297.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/97 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/19 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及利用具有附接的信号管道的引线框架的具有包封前穿通通孔形成的半导体装置封装。提供了一种具有预先形成并放置的穿通通孔的半导体装置封装件以及用于制造该封装件的工艺。一个或更多个信号管道（130、510）被耦接到引线框架（110、520），该引线框架随后被嵌入在包封的半导体装置封装件（500）中。信号管道的自由端被露出而另一端保持耦接到引线框架。然后使用该信号管道作为穿封装件通孔，在封装件的底部和顶部上的互连或接触及该引线之间提供信号承载路径。
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公开(公告)号：CN103107102A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210448241.3
申请日：2012-11-09
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 郭宝明 , 龚志伟 , 凯斯瓦库马尔·V·C·穆尼安迪 , 叶永凤
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/24 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装半导体芯片的方法包括使用嵌入式地平面或插入式嵌入式单元。嵌入式单元是带有至少一个腔的单一、独立的单元。嵌入式单元被放置在加工安装表面的封装区之上和之中。嵌入式单元可能有不同的大小和形状以及很多不同的腔，在处理半导体芯片期间,可以被放置在衬底、平板或带条上的预定位置，半导体芯片被嵌入到重新分配的芯片封装(RCP)或晶圆级封装(WFL)平面。嵌入式单元提供功能和设计灵活性，以在单一处理平板或批量内运行有不同大小和尺寸的很多嵌入式单元和半导体芯片或组件，并且在封装和后封装固化期间，减少芯片漂移、移动或歪斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106960799A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201610163609.X
申请日：2016-01-12
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/24195 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L24/80
Abstract: 制造用于集成电路装置的3D扇出结构的方法，包括：提供衬底载体，其具有相对的第一和第二表面，以及在第一和第二表面之间延伸的孔。将第一半导体片芯接合至衬底载体的第一表面，使得第一片芯覆盖衬底载体的孔。将封装剂和第二片芯沉积放置在衬底载体的孔内，使得第二片芯的有效表面暴露并且与衬底载体的第二表面共面。随后将一个或者多个再分配层施加至衬底载体的第二表面上，来形成3D扇出结构。
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公开(公告)号：CN106129035A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201510371780.5
申请日：2015-05-05
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本公开涉及具有模制锁定的露出焊盘式集成电路封装件。集成电路封装件具有带有沟槽和沟槽中开口的露出的管芯焊盘，该开口填充有包封剂以形成接近管芯焊盘的边缘的包封剂环。在组装期间，包封剂通过开口并填充沟槽以形成包封剂环。该环有助于阻止由热循环引起的管芯焊盘与包封剂分开。空气出口可包括在管芯焊盘表面中以在沟槽和开口填充有包装剂时允许空气脱离沟槽和开口。在管芯焊盘的芯片侧上可包括从开口到管芯焊盘边缘的沟槽以增强包封剂到管芯焊盘的粘附。
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公开(公告)号：CN102969252A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210317297.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/97 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/19 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及利用具有附接的信号管道的引线框架的具有包封前穿通通孔形成的半导体装置封装。提供了一种具有预先形成并放置的穿通通孔的半导体装置封装件以及用于制造该封装件的工艺。一个或更多个信号管道（130、510）被耦接到引线框架（110、520），该引线框架随后被嵌入在包封的半导体装置封装件（500）中。信号管道的自由端被露出而另一端保持耦接到引线框架。然后使用该信号管道作为穿封装件通孔，在封装件的底部和顶部上的互连或接触及该引线之间提供信号承载路径。
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公开(公告)号：CN102683221B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201110063844.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/58 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/32145 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其组装方法。一种形成半导体装置的方法，包括：将管芯固着到热沉以形成管芯和热沉组件，并然后将所述管芯和热沉组件放置在支撑元件上。一种半导体装置包括设置在支撑元件上的管芯和热沉组件。所述管芯和热沉组件在被设置在所述支撑元件上之前被预组装。
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公开(公告)号：CN102683221A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110063844.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/58 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49816 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/32145 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其组装方法。一种形成半导体装置的方法，包括：将管芯固着到热沉以形成管芯和热沉组件，并然后将所述管芯和热沉组件放置在支撑元件上。一种半导体装置包括设置在支撑元件上的管芯和热沉组件。所述管芯和热沉组件在被设置在所述支撑元件上之前被预组装。
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