公开(公告)号：CN101530012B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780039557.4

申请日：2007-10-05

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·A·曼格鲁姆 ,  K·R·布尔克

IPC: H05K3/30

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L28/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0919 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种用于封装第一器件(14，46)的方法，所述第一器件具有第一主表面和第二主表面。在第一器件(14，46)的第二主表面上方以及围绕第一器件的侧面形成密封剂(18)。这保留第一器件的第一主表面被暴露。在第一器件(14)的第一主表面上方形成第一介电层(20)。形成侧面接触接口(36，16；48，56，46；48，56，70，72)，该侧面接触接口至少有一部分在第一介电层(20)上方。切割该密封剂(18)从而形成密封剂的多个侧面(62，64)。沿着该多个侧面的第一侧面(64)去除该密封剂(18)的一部分从而沿着该多个侧面的第一侧面暴露该侧面接触接口的一部分(72，46，16)。

公开(公告)号：CN101529586B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200780039340.3

申请日：2007-09-27

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·A·曼格鲁姆 ,  K·R·布尔克

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种封装第一器件(12，102)的方法，该第一器件具有第一主表面和第二主表面，该方法包括：在第一器件的第二主表面上和第一器件的侧面周围形成第一层(14，104)，并且把第一器件的第一主表面暴露，其中第一层是从由封装物和聚合物组成的群组中选出来的；在第一器件的第一主表面上形成第一电介质层(52，152，170)；在第一电介质层中形成过孔(30，32，128)；在过孔内和在第一电介质层的一部分上形成种籽层(38，40，136)；将连接器物理地耦合到种籽层(82，116)；以及在种籽层上镀敷导电材料以在第一过孔内和在第一电介质层的一部分上形成第一互连(90，92，144，164)。

公开(公告)号：CN101529587B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200780039517.X

申请日：2007-10-03

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·A·曼格鲁姆 ,  K·R·布尔克

IPC: H01L23/34

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/19 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 形成包括具有第一主表面和第二主表面半导体器件(14)的封装的装置(10)包括：在半导体器件(14)的第二主表面上和半导体器件(14)的侧面周围形成包封层(18)，并且保留第一半导体器件的第一主表面暴露。在第一主表面上形成第一绝缘层(46)。在第一绝缘层(46)中形成多个通路(48-56)。形成通过多个第一通路(48-56)到半导体器件(14)的多个触点(58-66)，其中所述多个触点(58-66)中的每一个具有在第一绝缘层(46)之上的表面。在第一绝缘层(46)上形成支撑层(72)，保留在所述多个第一触点(58-66)上的开口(70)，其中开口(70)具有围绕所述多个触点(58-66)的侧壁。

公开(公告)号：CN101529587A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780039517.X

申请日：2007-10-03

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·A·曼格鲁姆 ,  K·R·布尔克

IPC: H01L23/34

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/19 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 形成包括具有第一主表面和第二主表面半导体器件(14)的封装的装置(10)包括：在半导体器件(14)的第二主表面上和半导体器件(14)的侧面周围形成包封层(18)，并且保留第一半导体器件的第一主表面暴露。在第一主表面上形成第一绝缘层(46)。在第一绝缘层(46)中形成多个通路(48－56)。形成通过多个第一通路(48－56)到半导体器件(14)的多个触点(58－66)，其中所述多个触点(58－66)中的每一个具有在第一绝缘层(46)之上的表面。在第一绝缘层(46)上形成支撑层(72)，保留在所述多个第一触点(58－66)上的开口(70)，其中开口(70)具有围绕所述多个触点(58－66)的侧壁。

公开(公告)号：CN101530012A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780039557.4

申请日：2007-10-05

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·A·曼格鲁姆 ,  K·R·布尔克

IPC: H05K3/30

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L28/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0919 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种用于封装第一器件(14，46)的方法，所述第一器件具有第一主表面和第二主表面。在第一器件(14，46)的第二主表面上方以及围绕第一器件的侧面形成密封剂(18)。这保留第一器件的第一主表面被暴露。在第一器件(14)的第一主表面上方形成第一介电层(20)。形成侧面接触接口(36，16；48，56，46；48，56，70，72)，该侧面接触接口至少有一部分在第一介电层(20)上方。切割该密封剂(18)从而形成密封剂的多个侧面(62，64)。沿着该多个侧面的第一侧面(64)去除该密封剂(18)的一部分从而沿着该多个侧面的第一侧面暴露该侧面接触接口的一部分(72，46，16)。

公开(公告)号：CN101529586A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780039340.3

申请日：2007-09-27

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·A·曼格鲁姆 ,  K·R·布尔克

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种封装第一器件(12，102)的方法，该第一器件具有第一主表面和第二主表面，该方法包括：在第一器件的第二主表面上和第一器件的侧面周围形成第一层(14，104)，并且把第一器件的第一主表面暴露，其中第一层是从由封装物和聚合物组成的群组中选出来的；在第一器件的第一主表面上形成第一电介质层(52，152，170)；在第一电介质层中形成过孔(30，32，128)；在过孔内和在第一电介质层的一部分上形成种籽层(38，40，136)；将连接器物理地耦合到种籽层(82，116)；以及在种籽层上镀敷导电材料以在第一过孔内和在第一电介质层的一部分上形成第一互连(90，92，144，164)。