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公开(公告)号：KR102230355B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190119550A
申请日：2019-09-27
Applicant: 강원대학교산학협력단
Inventor： 윤종환
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/005 , C23C14/0015 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/5853 , C23C16/006 , C23C16/401 , C23C16/50 , C23C28/345 , C23C28/36 , H01L33/18 , H01L2933/0041
Abstract: 본 발명은 (a) 열 증착(thermal evaporation) 방법을 수행하여, 기판 상에 청색 발광 소재를 형성하기 위한 금속을 증착하는 단계; (b) 상기 (a) 단계를 통해 금속막이 증착된 기판을 플라즈마 화학기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 반응기 내 위치시키고, 플라즈마 상태의 규소(Si) 및 산소(O)에 노출시켜, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 된 물질을 형성하는 단계; 및 (C) 적색, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 되도록 상기 (b) 단계를 통해 형성된 물질을 어닐링(annealing)하여 상기 물질 내 적색 발광 소재를 형성하는 단계; 를 포함하는 백색 발광 소재의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：WO2018139704A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：PCT/KR2017/002623
申请日：2017-03-10
Applicant: 강원대학교산학협력단
Inventor： 윤종환
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/285 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위한 촉매로 작용하는 금속을 기판 상에 증착하는 금속층 증착단계; 상기 금속층 증착단계에서 증착된 금속층 상에 산화실리콘층을 증착하는 산화실리콘층 증착단계; 및 상기 금속층 증착단계 및 상기 산화실리콘층 증착단계를 통해 상기 금속층 및 산화실리콘층이 증착된 기판 상에 다결정 실리콘 박막층이 형성되도록 열처리하는 어닐링 단계;를 포함하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101919086B1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：KR1020170011764
申请日：2017-01-25
Applicant: 강원대학교산학협력단
Inventor： 윤종환
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/285 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 본발명은다결정실리콘박막을형성하기위한촉매로작용하는금속을기판상에증착하는금속층증착단계; 상기금속층증착단계에서증착된금속층상에산화실리콘층을증착하는산화실리콘층증착단계; 및상기금속층증착단계및 상기산화실리콘층증착단계를통해상기금속층및 산화실리콘층이증착된기판상에다결정실리콘박막층이형성되도록열처리하는어닐링단계;를포함하는다결정실리콘박막형성방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120127001A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110045190
申请日：2011-05-13
Applicant: 강원대학교산학협력단
Inventor： 윤종환
IPC: C23C16/50 , C23C16/458 , C23C16/40 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A method for producing ZnO nano-sheets is provided to simply synthesize a ZnO nano-sheet without additional catalysts by exposing oxygen plasma on a thin zinc film. CONSTITUTION: A method for producing ZnO nano-sheets comprises the steps of: depositing a zinc film on a substrate(340), heating the substrate in a plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus(300), directly exposing oxygen plasma created by a plasma generating device of the plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus to the zinc film, and oxidizing the zinc film for a predetermined time to produce a ZnO nano-sheet. [Reference numerals] (AA) Zinc film
Abstract translation: 目的：提供一种生产ZnO纳米片的方法，通过在氧薄膜上暴露氧等离子体，简单地合成ZnO纳米片而无需额外的催化剂。 构成：制造ZnO纳米片的方法包括以下步骤：在衬底（340）上沉积锌膜，在等离子体增强化学气相沉积装置（300）中加热衬底，直接暴露由等离子体产生的氧等离子体 将等离子体增强化学气相沉积装置的装置连接到锌膜上，并将锌膜氧化预定时间以制备ZnO纳米片。 （附图标记）（AA）锌膜
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公开(公告)号：KR101132863B1
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：KR1020100050972
申请日：2010-05-31
Applicant: 강원대학교산학협력단
Inventor： 윤종환
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: 본 발명은 다층 금속-실리사이드 나노결정 플로팅게이트 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 두 층의 Si-rich 산화물로 이루어진 산화실리콘층 사이에 금속박막이 증착된 층을 고온에서 열처리를 통해 다층의 금속-실리사이드 나노결정층으로 구성된 플로팅게이트가 제조되는 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면 다층의 금속-실리사이드 나노결정층을 열처리 공정을 통해 보다 미세하고 균일한 나노결정층으로 이루어진 플로팅게이트를 형성할 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101384404B1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020110045190
申请日：2011-05-13
Applicant: 강원대학교산학협력단
Inventor： 윤종환
IPC: C23C16/50 , C23C16/458 , C23C16/40 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 산소 플라즈마에 아연 필름을 직접적으로 노출시킴으로써 상기 아연 필름을 산화아연 나노시트로 변환하는 산화아연 나노시트의 생성방법에 관한 것이다. 약 500nm 두께의 아연 필름은 240℃, 280℃ 및 380℃에서 30분 동안 N2O 가스를 사용한 PECVD에 의해 생성된 산소 플라즈마에 노출된다. 잘 정제된 단결정 산화아연 나노시트는 약 280℃ 이상에서 생성된다. 전자현미경 및 X레이 회절 스펙트럼 분석법을 사용하여 관찰하면, 상기 산화아연 나노시트는 [10-10] 면을 따라 성장한 육방정계 우르차이트(wurtzite) 구조를 가진다. 상기 산화아연 나노시트는 또한 380 nm 및 520 nm에서 각각 중앙 피크점을 갖는 자외선영역 및 녹색발광영역을 드러낸다. 본 발명의 산화아연 나노시트 형성물은 상기 아연 필름에 이온화된 산소가 직접 접촉하여 산화됨으로써 형성된다.
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公开(公告)号：KR101543755B1
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：KR1020140113374
申请日：2014-08-28
Applicant: 강원대학교산학협력단
Inventor： 윤종환
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521
Abstract: 기판, 상기 기판 위에 위치하는 터널링층, 상기 터널링층 위에 위치하고 코어쉘 구조의 나노입자를 포함하는 나노입자층, 그리고 상기 나노입자층 위에 위치하는 제어층을 포함하고, 상기 코어쉘 구조의 나노입자는 알루미늄(Al)을 포함하는 코어부, 그리고 상기 코어부를 둘러싸고 알루미늄옥사이드(Al
2 O
3 )를 포함하는 쉘부를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다.Abstract translation: 提供一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器包括衬底，位于衬底上的隧道层，位于隧道层上并包括核 - 壳结构的纳米颗粒的纳米颗粒层和位于纳米颗粒层上的控制层。 核 - 壳结构的纳米颗粒包括包括Al的核心部分和包括Al_2O_3并围绕核心部分的壳部分。
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公开(公告)号：KR1020110131509A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100050972
申请日：2010-05-31
Applicant: 강원대학교산학협력단
Inventor： 윤종환
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/66825 , B82Y10/00 , H01L21/28052 , H01L21/28273 , H01L29/42324 , H01L29/788
Abstract: PURPOSE: A method for forming a multilayer metal-silicide nanocrystal floating gate is provided to form nano crystal layer into the same size by forming a multilayer metal-silicide nano crystal layer through a thermal process at a time. CONSTITUTION: A tunneling insulating layer(110) is formed on a substrate. A first oxide silicon layer(120a) is formed on a tunneling insulating layer. A first metal thin film layer(130) is deposited on the first oxide silicon layer. A second oxide silicon layer(120b) is formed on the first metal thin film layer. A control insulation layer(140) is formed on the second oxide silicon layer.
Abstract translation: 目的：提供一种形成多层金属硅化物纳米晶体浮栅的方法，通过一次通过热过程形成多层金属硅化物纳米晶层，形成相同尺寸的纳米晶体层。 构成：在衬底上形成隧道绝缘层（110）。 第一氧化硅层（120a）形成在隧道绝缘层上。 第一金属薄膜层（130）沉积在第一氧化物硅层上。 在第一金属薄膜层上形成第二氧化硅层（120b）。 在第二氧化硅层上形成控制绝缘层（140）。
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公开(公告)号：KR102230355B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190119550
申请日：2019-09-27
Applicant: 강원대학교산학협력단
Inventor： 윤종환
Abstract: 본발명은 (a) 열증착(thermal evaporation) 방법을수행하여, 기판상에청색발광소재를형성하기위한금속을증착하는단계; (b) 상기 (a) 단계를통해금속막이증착된기판을플라즈마화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 반응기내 위치시키고, 플라즈마상태의규소(Si) 및산소(O)에노출시켜, 녹색및 청색발광소재가하이브리드된 물질을형성하는단계; 및 (C) 적색, 녹색및 청색발광소재가하이브리드되도록상기 (b) 단계를통해형성된물질을어닐링(annealing)하여상기물질내 적색발광소재를형성하는단계; 를포함하는백색발광소재의제조방법을제공한다.
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