公开(公告)号：WO2018194293A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/KR2018/003852

申请日：2018-04-02

Applicant: 경북대학교산학협력단

Inventor： 강인만 ,  윤영준

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 반도체 소자 및 그 제조방법에 개시된다. 개시된 반도체 소자는, 벌크 실리콘 기판, 벌크 실리콘 기판에 형성되고, 소정의 높이와 폭 및 소정의 길이를 갖는 담장 형태로 이루어지는 제1 핀 영역 및 제2 핀 영역을 포함하는 담장형 바디, 전기적 절연 물질로 이루어지며, 벌크 실리콘 기판의 표면 및 제1 핀 영역의 높이까지 형성되는 절연층, 제2 핀 영역의 길이 방향을 기준으로 제2 핀 영역의 상부 중앙부에 형성되는 정공저장영역, 제2 핀 영역과 정공저장영역의 측벽 및 정공저장영역의 상부에 형성되는 게이트 절연층, 게이트 절연층의 상부에 형성되는 게이트 및 제2 핀 영역 중 게이트와 대응되는 위치에 형성되는 바디 영역 및 바디 영역의 양측 영역에 각각 형성되는 소스/드레인 영역을 포함한다.