公开(公告)号：KR101296151B1

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020110108981

申请日：2011-10-24

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 성기웅 ,  조수영 ,  임형규

IPC: H04R17/02 ,  H01L41/09

Abstract: 본 발명은 부피에 대한 표면적의 비가 큰 장점으로 압전효과를 극대화시킬 수 있고, MOSFET 집적회로 기술을 이용한 초소형 마이크로폰에 관한 것이다.
이를 위해, 음향이 도달하여 변위를 일으키게 하는 떨판과, 상기 떨판에 접촉하여 상기 음향에 따른 떨판의 진동을 전기 신호로 변환하는 압전 나노와이어와, 상기 압전 나노와이어에서 변환된 신호를 증폭하는 집적회로부를 포함하는 초소형 마이크로폰을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020130044761A

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：KR1020110108981

申请日：2011-10-24

Applicant: 경북대학교 산학협력단

Inventor： 성기웅 ,  조수영 ,  임형규

IPC: H04R17/02 ,  H01L41/09

CPC classification number: H04R17/02 ,  H01L41/09 ,  H01L2924/13091

Abstract: PURPOSE: A miniature microphone which combines an integrated circuit with a nanowire having a piezoelectric property is provided to maximize a piezoelectric effect. CONSTITUTION: A miniature microphone(100) includes a membrane vibrating plate(110), a piezoelectric nanowire(120), and an integrated circuit part(135). A sound reaches the membrane vibrating plate, and the membrane vibrating plate causes a displacement. The piezoelectric nanowire coverts the vibration of the membrane vibrating plate due to the sound into an electric signal by contacting with the membrane vibrating plate. The integrated circuit part amplifies the signal transformed in the piezoelectric nanowire. The integrated circuit part forms a n+ channel, a source electrode(130), a drain electrode(!40), a resistor(141), a gate electrode(160), a SiO2 layer(165), and a power source terminal(150) on a p type semiconductor substrate(170) which is a n channel MOSFET device.

Abstract translation: 目的：提供一种结合集成电路和具有压电特性的纳米线的微型麦克风，以最大化压电效应。 构成：微型麦克风（100）包括膜振动板（110），压电纳米线（120）和集成电路部分（135）。 声音到达膜振动板，膜振动板引起位移。 压电纳米线通过与膜振动板接触而将声音由于声音覆盖到电信号中而覆盖膜振动板的振动。 集成电路部分放大在压电纳米线中变换的信号。 集成电路部分形成n +沟道，源电极（130），漏电极（！40），电阻器（141），栅电极（160），SiO 2层（165）和电源端子 150）在作为沟道MOSFET器件的ap型半导体衬底（170）上。