公开(公告)号：WO2014200249A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/KR2014/005096

申请日：2014-06-11

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  권순기 ,  김란

IPC: H01L51/30 ,  C07D471/04 ,  C07D409/14

CPC classification number: C07D471/04 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0508

Abstract: 본 발명의 유기 반도체 화합물은 나프탈렌 다이이미드 유도체와 전자 주게 또는 전자 끌게 화합물과 반응을 통하여 신규한 나프탈렌 다이이미드 유도체 화합물을 제조 할 수 있었다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 나프탈렌 다이이미드 유도체와 황(S)을 포함하고 있는 비치환 또는 치환 된 티오펜과 합성하여 제조 된 화합물은 낮은 밴드갭을 나타내므로, 이를 포함하는 유기전자소자는 높은 효율을 가진다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 열적 안정성과 물리적 특성이 우수하면서 분자간 상호작용이 높아 전기적 특성이 우수한 유기 반도체 재료가 될 수 있다. 따라서, 본 발명의 유기 반도체 화합물은 유기박막 트랜지스터 외에도 다양한 유기전자소자 전반에 사용이 가능한 장점이 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种有机半导体化合物，其可以通过萘二酰亚胺衍生物和电子给体或受体化合物之间的反应制备新的萘二酰亚胺衍生物。 此外，通过合成萘二酰亚胺衍生物和含硫的取代或未取代的噻吩制备的有机半导体化合物显示出低带隙，因此包含该化合物的有机电子器件可以具有高效率。 此外，有机半导体化合物具有优异的热稳定性和物理性能以及强的分子间相互作用，因此可以是具有优异的电性能的有机半导体材料。 因此，有机半导体化合物可以全面地用于包括有机薄膜晶体管在内的各种有机电子器件。

公开(公告)号：WO2015012456A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：PCT/KR2013/011852

申请日：2013-12-19

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  김란 ,  권순기

IPC: C07D471/04 ,  C07D409/14 ,  H01L51/30

CPC classification number: C07D519/00 ,  C07D471/06 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0068

Abstract: 본 발명의 유기 반도체 화합물은 두 개의 나프탈렌 다이이미드 사이에 전자 주게 화합물이 도입 된 신규한 나프탈렌 다이이미드 유도체 화합물을 제조할 수 있었다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 나프탈렌 다이이미드 유도체와 황(S)을 포함하고 있는 비치환 또는 치환 된 티오펜과 합성하여 제조 된 화합물은 낮은 밴드갭을 나타내므로, 이를 포함하는 유기전자소자는 높은 효율을 가진다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 열적 안정성과 물리적 특성이 우수하면서 분자간 상호작용이 높아 전기적 특성이 우수한 유기 반도체 재료가 될 수 있다. 따라서, 본 발명의 유기 반도체 화합물은 유기박막 트랜지스터 외에도 다양한 유기전자소자 전반에 사용이 가능한 장점이 있다.

Abstract translation: 本发明的有机半导体化合物可以制成新的萘二酰亚胺衍生物化合物，其中电子给体化合物引入两萘二酰亚胺之间。 此外，由萘二酰亚胺衍生物和含硫（S）的未取代或取代的噻吩合成的本发明的有机半导体化合物表现出低的能带隙，因此包含该有机半导体化合物的有机电子器件是高效的 。 此外，本发明的有机半导体化合物可以是其热稳定性和物理性质优异并且分子之间的相互作用高的有机半导体材料，因此表现出优异的电性能。 因此，本发明的有机半导体化合物可用于包括有机薄膜半导体晶体管的各种有机电子器件。

公开(公告)号：WO2014077590A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：PCT/KR2013/010307

申请日：2013-11-13

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  권순기 ,  김란

IPC: C07D471/04 ,  C08G73/06 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07D471/06 ,  C07D519/00 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/3327 ,  C08G2261/334 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0558

Abstract: 본 발명은 유기박막트랜지스터(organic thin film transistors: OTFTs)등 유기 전자 소자용 유기반도체 화합물 및 그의 용도에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 나프탈렌 다이이미드 유도체와 전자 주게 및 전자 끌게 화합물과의 공중합을 통해 새로운 유기반도체 화합물인 나프탈렌 다이이미드 중합체 합성 및 이를 유기 반도체 층으로 사용하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及有机电子器件如有机薄膜晶体管（OTFT）的有机半导体化合物及其用途。 更具体地说，本发明涉及：通过萘二酰亚胺衍生物与电子给体的化合物和电子受体之间的共聚合成萘二酰亚胺聚合物作为新的有机半导体化合物; 以及使用其作为有机半导体层的有机半导体器件。

公开(公告)号：KR101816515B1

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：KR1020160051234

申请日：2016-04-27

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  권순기 ,  송형근 ,  김란

IPC: C08G73/06 ,  C08G73/12 ,  C07D471/04 ,  C07D471/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: 본발명은유기전자소자용유기반도체화합물인나프탈렌다이이미드중합체및 이를포함하는유기전자소자에관한것으로, 본발명의유기반도체화합물은퍼플루오르알킬곁사슬이도입된나프탈렌다이미드중합체로, 산화안정성이매우우수하고, 고이동도의뛰어난특성을갖으므로 p-형및 n-형반도체로서유용하다.

公开(公告)号：KR1020170122385A

公开(公告)日：2017-11-06

申请号：KR1020160051234

申请日：2016-04-27

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  권순기 ,  송형근 ,  김란

IPC: C08G73/06 ,  C08G73/12 ,  C07D471/04 ,  C07D471/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: C08G73/0683 ,  C07D471/04 ,  C07D471/06 ,  C08G73/0688 ,  C08G73/123 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549

Abstract: 본발명은유기전자소자용유기반도체화합물인나프탈렌다이이미드중합체및 이를포함하는유기전자소자에관한것으로, 본발명의유기반도체화합물은퍼플루오르알킬곁사슬이도입된나프탈렌다이미드중합체로, 산화안정성이매우우수하고, 고이동도의뛰어난특성을갖으므로 p-형및 n-형반도체로서유용하다.

Abstract translation: 本发明涉及有机电子器件，包括有机半导体化合物的有机电子器件是萘碳二亚胺的聚合物和被全氟化的烷基侧链被引入萘二酰亚胺聚合物的本发明的该有机半导体化合物，氧化稳定性是非常 由于具有高迁移率的优异特性，因此作为p型和n型半导体是优异的。

公开(公告)号：KR101526169B1

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：KR1020130090830

申请日：2013-07-31

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  김란 ,  권순기

IPC: C07D471/04 ,  C07D409/14 ,  H01L51/30

CPC classification number: C07D519/00 ,  C07D471/06 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0068

Abstract: 본발명의유기반도체화합물은두 개의나프탈렌다이이미드사이에전자주게화합물이도입된 신규한나프탈렌다이이미드유도체화합물을제조할수 있었다. 또한본 발명의유기반도체화합물은나프탈렌다이이미드유도체와황(S)을포함하고있는비치환또는치환된 티오펜과합성하여제조된 화합물은낮은밴드갭을나타내므로, 이를포함하는유기전자소자는높은효율을가진다. 또한본 발명의유기반도체화합물은열적안정성과물리적특성이우수하면서분자간상호작용이높아전기적특성이우수한유기반도체재료가될 수있다. 따라서, 본발명의유기반도체화합물은유기박막트랜지스터외에도다양한유기전자소자전반에사용이가능한장점이있다.

公开(公告)号：KR101468942B1

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020120128443

申请日：2012-11-13

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  권순기 ,  김란

IPC: C07D471/04 ,  C08G73/06 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07D471/06 ,  C07D519/00 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/3327 ,  C08G2261/334 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0558

Abstract: 본발명은유기박막트랜지스터(organic thin film transistors: OTFTs)등유기전자소자용유기반도체화합물및 그의용도에관한것이다. 보다구체적으로, 본발명은나프탈렌다이이미드유도체와전자주게및 전자끌게화합물과의공중합을통해새로운유기반도체화합물인나프탈렌다이이미드중합체합성및 이를유기반도체층으로사용하는유기전자소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR101490104B1

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：KR1020130066924

申请日：2013-06-12

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  권순기 ,  김란

IPC: H01L51/30 ,  C07D471/04 ,  C07D409/14

CPC classification number: C07D471/04 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0508

Abstract: 본 발명의 유기 반도체 화합물은 나프탈렌 다이이미드 유도체와 전자 주게 또는 전자 끌게 화합물과 반응을 통하여 신규한 나프탈렌 다이이미드 유도체 화합물을 제조 할 수 있었다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 나프탈렌 다이이미드 유도체와 황(S)을 포함하고 있는 비치환 또는 치환 된 티오펜과 합성하여 제조 된 화합물은 낮은 밴드갭을 나타내므로, 이를 포함하는 유기전자소자는 높은 효율을 가진다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 열적 안정성과 물리적 특성이 우수하면서 분자간 상호작용이 높아 전기적 특성이 우수한 유기 반도체 재료가 될 수 있다. 따라서, 본 발명의 유기 반도체 화합물은 유기박막 트랜지스터 외에도 다양한 유기전자소자 전반에 사용이 가능한 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020150015610A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：KR1020130090830

申请日：2013-07-31

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  김란 ,  권순기

IPC: C07D471/04 ,  C07D409/14 ,  H01L51/30

CPC classification number: C07D519/00 ,  C07D471/06 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0068

Abstract: 본 발명의 유기 반도체 화합물은 두 개의 나프탈렌 다이이미드 사이에 전자 주게 화합물이 도입 된 신규한 나프탈렌 다이이미드 유도체 화합물을 제조할 수 있었다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 나프탈렌 다이이미드 유도체와 황(S)을 포함하고 있는 비치환 또는 치환 된 티오펜과 합성하여 제조 된 화합물은 낮은 밴드갭을 나타내므로, 이를 포함하는 유기전자소자는 높은 효율을 가진다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 열적 안정성과 물리적 특성이 우수하면서 분자간 상호작용이 높아 전기적 특성이 우수한 유기 반도체 재료가 될 수 있다. 따라서, 본 발명의 유기 반도체 화합물은 유기박막 트랜지스터 외에도 다양한 유기전자소자 전반에 사용이 가능한 장점이 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造其中电子给体化合物插入在两个萘二酰亚胺之间的新型萘二酰亚胺衍生物化合物的有机半导体化合物。 此外，通过合成本发明的有机半导体化合物和包含萘二酰亚胺衍生物和硫（S）的取代或未取代的噻吩来制造化合物，因此显示出低带隙，因此，包含该有机半导体化合物的有机半导体化合物具有 高效率。 此外，本发明中的有机半导体化合物具有突出的热稳定性和物理性质以及分子之间的高相互作用，因此可以用作具有高电性能的有机半导体材料。 本发明中的有机半导体化合物可以用于包括有机薄膜晶体管的各种有机电子器件中。

公开(公告)号：KR1020140144845A

公开(公告)日：2014-12-22

申请号：KR1020130066924

申请日：2013-06-12

Applicant: 경상대학교산학협력단

Inventor： 김윤희 ,  권순기 ,  김란

IPC: H01L51/30 ,  C07D471/04 ,  C07D409/14

CPC classification number: C07D471/04 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0508

Abstract: 본 발명의 유기 반도체 화합물은 나프탈렌 다이이미드 유도체와 전자 주게 또는 전자 끌게 화합물과 반응을 통하여 신규한 나프탈렌 다이이미드 유도체 화합물을 제조 할 수 있었다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 나프탈렌 다이이미드 유도체와 황(S)을 포함하고 있는 비치환 또는 치환 된 티오펜과 합성하여 제조 된 화합물은 낮은 밴드갭을 나타내므로, 이를 포함하는 유기전자소자는 높은 효율을 가진다. 또한 본 발명의 유기 반도체 화합물은 열적 안정성과 물리적 특성이 우수하면서 분자간 상호작용이 높아 전기적 특성이 우수한 유기 반도체 재료가 될 수 있다. 따라서, 본 발명의 유기 반도체 화합물은 유기박막 트랜지스터 외에도 다양한 유기전자소자 전반에 사용이 가능한 장점이 있다.

Abstract translation: 作为本发明的有机半导体化合物，通过萘二酰亚胺衍生物与电子给体或电子受体化合物的反应来制备新的萘二酰亚胺衍生物。 此外，由于本发明的有机半导体化合物是通过合成萘二酰亚胺衍生物和含硫未取代或取代的噻吩制备的，具有低带隙，所以包含该有机半导体化合物的有机电子器件具有高效率。 此外，本发明的有机半导体化合物具有优异的热稳定性和物理性质以及高的分子间相互作用，因此有机半导体化合物可以是优异的有机半导体材料。 因此，本发明的有机半导体化合物可以用于各种有机电子器件以及有机薄膜晶体管中。