公开(公告)号：WO2018135688A1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：PCT/KR2017/001441

申请日：2017-02-10

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 김진교 ,  장동수 ,  주미연 ,  김화섭 ,  김동회

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311

Abstract: 본 발명은 질화 갈륨 기판 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 질화 갈륨 기판 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN; gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：WO2018135689A1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：PCT/KR2017/001442

申请日：2017-02-10

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 김진교 ,  장동수 ,  주미연 ,  김화섭 ,  김동회

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/306 ,  H01L33/04

Abstract: 본 발명은 발광 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN; gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 마스크층의 상기 돌출 영역은 포지티브 타입(positive type)의 돌출 패턴을 갖는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：WO2018135690A1

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：PCT/KR2017/001444

申请日：2017-02-10

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 김진교 ,  장동수 ,  주미연 ,  김화섭 ,  김동회

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/36 ,  H01L33/04

Abstract: 본 발명은 발광 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법은 성장 기판 상에 적어도 하나의 윈도우 영역 및 돌출 영역을 포함하는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 질화 갈륨(GaN; gallium nitride)을 에피택셜 측면 오버그로스(ELOG; epitaxial lateral overgrowth)시켜, N-극성 질화 갈륨 및 Ga-극성 질화 갈륨을 포함하는 질화 갈륨을 형성하는 단계; 상기 N-극성 질화 갈륨을 선택적으로 식각하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 마스크층의 상기 윈도우 영역은 네거티브 타입(negative type)의 윈도우 패턴을 갖는 것을 특징으로 한다.