플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
    1.
    发明申请
    플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 审中-公开
    柔性显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:WO2017119609A1

    公开(公告)日:2017-07-13

    申请号:PCT/KR2016/013896

    申请日:2016-11-29

    CPC classification number: H01L27/32 H01L29/786 H01L51/00 H01L51/56

    Abstract: 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 플렉서블 디스플레이 장치는 캐리어 기판 상에 폴리이미드계 용액을 코팅하여 제1 폴리이미드계 층을 형성하는 단계, 제1 폴리이미드계 층 상에 산화물 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계, 산화물 박막 트랜지스터 어레이 상에 폴리이미드계 용액을 코팅하여 제2 폴리이미드계 층을 형성하는 단계, 제2 폴리이미드계 층 상에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계 및 캐리어 기판을 제거하는 단계를 포함하며, 산화물 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계는 상기 제1 폴리이미드계 층과 상기 제2 폴리이미드계 층 사이에 위치하도록 상기 산화물 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 산화물 박막 트랜지스터 어레이를 형성할 수 있다.

    Abstract translation: 提供了一种柔性显示装置及其制造方法。 根据本发明的柔性显示装置是一种聚酰亚胺,其包括:溶液涂层以形成第一聚酰亚胺层,在形成第一聚酰亚胺层,在载体衬底上的氧化物薄膜晶体管阵列上的氧化物薄膜晶体管阵列的步骤 通过涂覆在形成第二聚酰亚胺层的聚酰亚胺溶液中,第一包括去除步骤和载体衬底的步骤,以形成第二聚酰亚胺层,氧化物薄膜晶体管阵列上的有机发光二极管 可以形成氧化物薄膜晶体管阵列,该氧化物薄膜晶体管阵列形成氧化物薄膜晶体管阵列,使得其位于第一聚酰亚胺基层和第二聚酰亚胺基层之间。

    듀얼 게이트 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
    2.
    发明申请
    듀얼 게이트 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 审中-公开
    双栅薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:WO2017061669A1

    公开(公告)日:2017-04-13

    申请号:PCT/KR2016/000178

    申请日:2016-01-08

    CPC classification number: H01L29/786

    Abstract: 듀얼 게이트 박막 트랜지스터가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 듀얼 게이트 박막 트랜지스터는 기판, 기판 상에 위치된 제1 게이트 전극, 제1 게이트 전극 상에 위치된 산화물 반도체층, 산화물 반도체층에 위치된 소스 전극 및 드레인 전극 및 산화물 반도체층 상에 위치된 제2 게이트 전극을 포함한다. 여기서, 제1 및 제2 게이트 전극은 듀얼 게이트 박막 트랜지스터의 수직축을 기준으로 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 오프셋 영역을 포함하며, 오프셋 영역에 해당하는 산화물 반도체층은 할로겐계 가스로 플라즈마 처리된다.

    Abstract translation: 公开了一种双栅极薄膜晶体管。 根据本发明的实施例的双栅极薄膜晶体管包括:基板; 设置在所述基板上的第一栅电极; 设置在所述第一栅电极上的氧化物半导体层; 设置在所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极; 以及设置在所述氧化物半导体层上的第二栅电极。 第一和第二栅电极相对于双栅极薄膜晶体管的垂直轴包括源电极和漏电极之间的偏移区域,并且对应于偏移区域的氧化物半导体层用卤素等离子体处理 的气体。

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