公开(公告)号：WO2018084421A1

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：PCT/KR2017/010038

申请日：2017-09-13

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 장진 ,  김태헌

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 반도체 트랜지스터는 기판 상에 형성되는 제1 게이트 전극, 제1 게이트 전극 상에 용액 공정에 의해 형성되는 제1 게이트 절연막, 제1 게이트 절연막 일측에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 제1 게이트 절연막, 소스 전극 및 드레인 전극 상에 용액 공정에 의해 형성되는 산화물 반도체막, 산화물 반도체막 상에 용액 공정에 의해 형성되는 제2 게이트 절연막, 제2 게이트 절연막 일측에 소스 전극 및 드레인 전극과 각각 전기적으로 연결되는 픽셀 전극 및 제2 게이트 절연막 상에 형성되는 제2 게이트 전극을 포함하고, 제1 게이트 절연막, 산화물 반도체막 및 제2 게이트 절연막을 용액 공정으로 형성하며, 제2 게이트 전극을 소스 전극 및 드레인 전극 내에 1㎛ 이상의 오프셋을 가져 드레인 전류를 감소시켜 산화물 반도체 트랜지스터의 전기적 특성을 안정화시키는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种氧化物半导体晶体管及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的氧化物半导体晶体管包括第一栅电极，第一栅极的第一栅极绝缘膜是一种通过在电极上的溶液工艺形成，第一栅极绝缘膜，其形成在基板上形成在一侧上的源极电极和漏极 第二栅绝缘膜，通过溶液工艺形成在氧化物半导体膜上;源电极和漏极，位于第二栅绝缘膜的一侧; 以及形成在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极，其中所述第一栅极绝缘膜，所述氧化物半导体膜和所述第二栅极绝缘膜通过溶液工艺形成，并且所述第二栅极电极 在源电极和漏电极中具有1μm或更大的偏移量，由此减小漏极电流， 在其特征在于用于稳定晶体管的电特性。