公开(公告)号：WO2019083099A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：PCT/KR2018/000782

申请日：2018-01-17

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 장진 ,  김효민

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 본 발명은 전하 생성 접합층을 포함하는 박막형 발광소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 전하 생성 접합층을 포함하는 박막형 발광소자는 음극; 상기 음극 상에 형성되고, 전하 생성 접합층, 전자 주입/수송층, 박막형 발광층 및 정공 주입/수송층을 순차적으로 포함하는 적어도 하나 이상의 발광 유닛; 및 상기 적어도 하나 이상의 발광유닛 상에 형성되는 음극을 포함하고, 상기 전하 생성 접합층은 p형 반도체층 및 n형 반도체층이 형성된 레이어-바이-레이어 구조이고, 상기 박막형 발광소자는 상기 n형 반도체층을 어닐링 처리하여 상기 p형 반도체층 및 n형 반도체층의 계면의 산소 공공의 농도를 조절하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：WO2018056578A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：PCT/KR2017/008892

申请日：2017-08-16

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 장진 ,  황은사 ,  김효민

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

Abstract: 본 발명은 전하 생성 접합층을 포함하는 양자점 발광소자의 구조 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 음극, p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 제1 전하 생성 접합층, 양자점 발광층, 정공 수송층, p형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 제2 전하 생성 접합층 및 양극을 포함하고, 상기 제1 전하 생성 접합층 및 제2 전하 생성 접합층을 용액 공정으로 형성하여 전하의 생성 및 주입을 안정화하고, 공정 시간을 단축시키며, 양자점 발광소자의 양극 또는 음극의 일함수 (Work-function)에 대한 문제점을 개선할 수 있는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明公开了包括电荷产生接合层的量子点发光器件的结构及其制造方法。 根据本发明实施例的包括阴极，p型半导体层和n型半导体层的第一电荷产生结层，包括量子点发光层，空穴传输层，p型半导体层， 形成接合层和正电极，其中第一电荷产生接合层和第二电荷产生接合层通过溶液工艺形成以稳定电荷产生和注入，缩短处理时间， 可以改善阴极的功函数。