公开(公告)号：WO2018212443A1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：PCT/KR2018/003305

申请日：2018-03-22

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 장진 ,  박민상

IPC: H01L27/12 ,  H01L33/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 본 발명은 스트레처블 전자 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 스트레처블 전자 소자의 제조 방법은 제1 캐리어 기판(carrier substrate) 상에 적어도 하나 이상의 반도체 소자(semiconductor device)를 형성하는 단계; 상기 반도체 소자를 적어도 하나 이상 포함하는 반도체 소자 어레이(semiconductor device array)를 분리하여 반도체 소자 어레이 패턴을 형성하는 단계; 상기 반도체 소자 어레이 패턴(semiconductor device array pattern)을 상기 제1 캐리어 기판으로부터 박리(release)시키는 단계; 및 제2 캐리어 기판 상에 스트레처블 기판(stretchable substrate)을 형성하는 단계; 상기 박리된 반도체 소자 어레이 패턴을 상기 스트레처블 기판 상에 전사(transfer)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.