公开(公告)号：WO2020184777A1

公开(公告)日：2020-09-17

申请号：PCT/KR2019/004534

申请日：2019-04-16

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 장진 ,  이수희

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66

Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법은 기판 상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 채널 영역 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 산화물 반도체층의 소스 영역 및 드레인 영역에 선택적으로 플루오린(fluorine; F)계 가스로 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 2X10 14 /cm 3 내지 17.5X10 21 /cm 3 농도의 플루오린(F) 원소를 포함하는 것을 특징으로 한다.