公开(公告)号：WO2018117485A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：PCT/KR2017/014119

申请日：2017-12-05

Applicant: 경희대학교산학협력단

Inventor： 정원규 ,  이진민 ,  김동욱

IPC: H01L31/115 ,  G01T1/02 ,  G01T1/161 ,  G01T1/20

CPC classification number: G01T1/02 ,  G01T1/161 ,  G01T1/20 ,  H01L31/115

Abstract: 본 발명은 방사선 디텍터 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 디텍터는 실리콘카바이드(SiC) 기판; 상기 실리콘카바이드 기판 상에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 양측에 배치되고, 상기 실리콘카바이드 기판 내에 서로 이격되도록 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 게이트 전극 상에 형성되는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 게이트 전극과 연결되는 워드 라인(Word Line); 상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 드레인 영역과 연결되는 비트 라인(Bit Line) 및 상기 층간 절연막 상에 배치되는 신틸레이터를 포함하는 것을 특징으로 한다.