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公开(公告)号：KR101874258B1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：KR1020170135943
申请日：2017-10-19
Applicant: 경희대학교 산학협력단
IPC: C23C16/06 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L21/285 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/22 , C23C14/34
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은전이금속디칼코게나이드박막및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른전이금속디칼코게나이드박막의제조방법은기판상에전이금속디칼코게나이드층을형성하는단계; 상기전이금속디칼코게나이드층상에 16족도핑기체를공급하는단계; 및상기전이금속디칼코게나이드층상에 16족도핑기체를흡착시키는단계를포함한다. 또한, 본발명의실시예에따른전이금속디칼코게나이드박막은기판; 상기기판상에형성되고 16족도핑기체가도핑된전이금속디칼코게나이드층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170121102A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020170135943
申请日：2017-10-19
Applicant: 경희대학교 산학협력단
IPC: C23C16/06 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L21/285 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/22 , C23C14/34
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은전이금속디칼코게나이드박막및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른전이금속디칼코게나이드박막의제조방법은기판상에전이금속디칼코게나이드층을형성하는단계; 상기전이금속디칼코게나이드층상에 16족도핑기체를공급하는단계; 및상기전이금속디칼코게나이드층상에 16족도핑기체를흡착시키는단계를포함한다. 또한, 본발명의실시예에따른전이금속디칼코게나이드박막은기판; 상기기판상에형성되고 16족도핑기체가도핑된전이금속디칼코게나이드층을포함한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种过渡金属二烯基化合物的薄膜及其制备方法。 一种制造过渡金属的方法根据本发明的实施例包括在基板上形成的过渡金属硫族化物自由基层的硫属化物的步骤自由基薄膜; 向过渡金属硫属化合物层上供应第16族掺杂气体; 并在过渡金属硫族化合物层上吸附第16族掺杂气体。 此外，根据本发明实施方式的过渡金属十烷thin薄膜包括基板; 并且在衬底上形成过渡金属的二钴化合物层并掺杂有第16族掺杂气体。
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公开(公告)号：KR1020170100984A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160023581
申请日：2016-02-26
Applicant: 경희대학교 산학협력단
IPC: C23C16/06 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L21/285 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/22 , C23C14/34
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은전이금속디칼코게나이드박막및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른전이금속디칼코게나이드박막의제조방법은기판상에전이금속디칼코게나이드층을형성하는단계; 상기전이금속디칼코게나이드층상에 16족도핑기체를공급하는단계; 및상기전이금속디칼코게나이드층상에 16족도핑기체를흡착시키는단계를포함한다. 또한, 본발명의실시예에따른전이금속디칼코게나이드박막은기판; 상기기판상에형성되고 16족도핑기체가도핑된전이금속디칼코게나이드층을포함한다.
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