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公开(公告)号：WO2016027975A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/KR2015/006448
申请日：2015-06-24
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 비정형 성형체 제조장치는, 상하 이동 가능하게 구비되며, 복수 개가 제1방향을 따라 배치된 이동로드 및 상기 이동로드에 구동력을 전달하여, 상기 복수의 이동로드를 각각 소정 높이로 이동시키는 구동모듈을 포함하는 형상출력유닛을 하나 이상 포함하며, 각각 소정 높이로 이동된 상기 복수 개의 이동로드 상단이 이루는 단차에 의해 비정형의 굴곡을 형성한다.
Abstract translation: 根据本发明的非典型成型体制造装置包括至少一个形状输出单元，其包括设置成能够沿着第一方向上下配置的多个可动杆和用于将驱动力传递到驱动模块的驱动模块 活动杆，从而使多个可动杆中的每一个移动到预定高度，并且通过由移动到预定高度的多个可动杆中的每一个的上端构成的水平差形成非典型曲率。
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2.发明申请칼코겐 화합물의 2차원 대면적 성장 방법, CMOS형 구조체의 제조 방법, 칼코겐 화합물의 막, 칼코겐 화합물의 막을 포함하는 전자 소자 및 CMOS형 구조체 审中-公开用于合成化合物的二维大面积生长方法，制造CMOS型结构的方法，氯化铝化合物的膜，包含氯化铝化合物的电子器件和CMOS型结构
公开(公告)号：WO2014148820A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/KR2014/002315
申请日：2014-03-19
Applicant: 경희대학교 산학협력단
CPC classification number: C30B1/10 , C01B19/00 , C01B19/007 , C23C16/305 , C30B1/02 , C30B1/04 , C30B1/08 , C30B13/24 , C30B29/16 , C30B29/46 , H01L21/02381 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L21/823807 , H01L21/8256 , H01L27/092 , H01L27/101 , H01L29/78681
Abstract: 먼저 전이금속 원소 또는 5족 원소의 막을 기판 상에 증착하고, 이후 기화된 칼코겐 원소, 기화된 칼코겐 전구체 화합물,M'X' 2+δ 으로 표시되는 칼코겐 화합물이 막 내에 균일하게 확산시킨 후, 후열 처리하여 MX 2 로 표시되는 칼코겐 화합물을 형성함으로써 상기 MX 2 로 표시되는 칼코겐 화합물의 막을 형성하는 단계를 포함하는 칼코겐 화합물의 2차원 대면적 성장 방법이 제공된다.
Abstract translation: 提供了一种硫属化合物的二维大面积生长方法，该方法包括以下步骤：在基底上沉积过渡金属元素或第5族元素的膜; 然后在膜内均匀扩散蒸发的硫族元素，蒸发的硫属前体化合物和由M'X'2 +δ表示的硫属化合物; 然后对该膜进行后加热，形成由MX2表示的硫属化合物，由此形成由MX2表示的硫属化合物的膜。
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公开(公告)号：WO2013176387A1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：PCT/KR2013/002283
申请日：2013-03-20
Applicant: 경희대학교 산학협력단
Inventor： 김선국
IPC: H01L31/0256 , H01L31/10 , H01L29/786
CPC classification number: H01L31/0324 , H01L29/78 , H01L29/78681 , H01L31/032
Abstract: 본 발명은 다층 전이금속 칼코겐화합물 소자 및 이를 이용한 반도체 소자에 관한 것으로서, 종래의 단층 전이금속 칼코겐화합물을 바람직하게는 3층 이상의 다층으로 구성하여 자외선에서부터 근적외선에 이르는 넓은 파장대를 흡수하도록 한 발명에 관한 것이다. 이를 위해 층 전이금속 칼코겐화합물에 비해 상대적으로 넓은 파장대의 빛을 흡수하도록 다층 전이금속 칼코겐화합물(Transition Metal Dichalcogenides)로 형성하며, 다층 전이금속 칼코겐화합물에 의해 반도체 채널이 형성되는 다층 전이금속 칼코겐화합물 소자가 개시된다.
Abstract translation: 本发明涉及多层过渡金属二硫属元素化物质和使用其的半导体器件，其中优选包含三层或更多层的本发明由常规的单层过渡金属硫族化物形成，从而能够通过 从紫外线到近红外线的宽波长范围。 为此，公开了一种过渡金属二硫属元素化合物，其与单层过渡金属硫属元素化合物和具有由过渡金属二硫属元素化物形成的半导体通道的过渡金属二硫属元素化合物装置相比，能够在相对更宽的波长范围内吸收光。
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公开(公告)号：KR20210033313A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190114884A
申请日：2019-09-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G01K13/00 , A61B5/01 , C08L33/12 , C08L45/00 , C08L67/02 , C08L69/00 , C08L81/06 , G01K1/14 , G01K7/01 , H01B1/02 , H01L35/34
CPC classification number: G01K13/20 , A61B5/01 , C08L33/12 , C08L45/00 , C08L67/02 , C08L69/00 , C08L81/06 , G01K1/14 , G01K7/015 , H01B1/02 , H01L35/34
Abstract: 본원은 센서부 및 전극부가 형성된 유연기판; 및 상기 유연기판 상에 배치된 단열층; 을 포함하고, 상기 단열층은 패터닝된 제 1 층 및 상기 제 1 층 상에 배치된 제 2 층을 포함하는 것인, 웨어러블 패치형 온도 센서를 제공한다.
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公开(公告)号：KR102223144B1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020190107114A
申请日：2019-08-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01S5/1053 , G01S7/4911 , H01L51/5012 , H01L51/52 , H01L51/5265 , H01S5/509
Abstract: 본 발명은 전기 활성 고분자를 이용한 공진 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 활성 고분자를 이용한 공진 장치는, 제1 전반사 애노드 및 제1 투명 캐소드를 통해 인가된 제1 전압에 의해 빛을 발생시키는 발광부, 및 상기 발생된 빛을 상기 제1 투명 캐소드 및 제1 반투명 캐소드의 사이에 위치한 제1 전기 활성 고분자의 공진기 길이에 따라 공진시키고 상기 공진시킨 빛 중에서 일부 광선을 상기 제1 반투명 캐소드를 통해 외부로 투과시켜 레이저 또는 빛을 출력하는 제1 공진부를 포함하고, 상기 제1 전기 활성 고분자에 인가된 제2 전압에 따라 상기 공진기 길이가 조절된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102142313B1
公开(公告)日：2020-08-10
申请号：KR1020180164153
申请日：2018-12-18
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
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公开(公告)号：KR101687472B1
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：KR1020150002799
申请日：2015-01-08
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단 , 이화여자대학교 산학협력단
IPC: H04L9/32
Abstract: 본발명은플렉서블기판상에형성되는복수의카본나노튜브및 상기카본나노튜브상에형성되고, 선정된도메인크기를갖는복수의전극을포함하는전극어레이를포함하는유연카오스나노넷소자및 유연카오스나노넷기반의 PUF 보안장치를개시한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种灵活的混沌纳米装置，以及基于柔性混沌纳米级的PUF安全装置。 柔性混沌纳米装置包括：形成在柔性基板上的多个碳纳米管; 以及形成在所述碳纳米管上并且包括具有选定的畴尺寸的多个电极的电极阵列。
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公开(公告)号：KR101642651B1
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：KR1020150035206
申请日：2015-03-13
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단 , 이화여자대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은분자비대칭성(chirality)을이용하여기판에분산된나노넷물질및 상기나노넷물질상에선정된도메인크기를갖고, 전기적버닝(electrical burning) 방식에기초하여전압을인가받는선정된전극이포함된복수의전극으로구성되는전극어레이를포함하는시그널패스의랜덤성을보장하는카오스나노넷소자및 PUF 보안장치를개시한다.
Abstract translation: 在本发明中，公开了确保信号路径的随机性的混沌纳米级装置和PUF安全装置。 混沌纳米装置包括：通过使用粒子手性分布在基底中的纳米材料; 以及在纳米材料上具有选定的畴尺寸的电极阵列，并且包括多个电极，其包括基于电燃烧方法选择接收电压的电极。
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公开(公告)号：KR101642650B1
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：KR1020150035205
申请日：2015-03-13
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단 , 이화여자대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L29/0665 , H01L21/02601 , H04L9/0866 , H04L9/3278
Abstract: 본발명은기판에분산된금속성과반도체성을갖는나노넷물질및 상기나노넷물질상에선정된도메인크기를갖고, 차단전류영역에서바이어스를인가받는선정된전극이포함된복수의전극으로구성되는전극어레이를포함하는시그널의모호성이제거되는카오스나노넷소자및 PUF 보안장치를개시한다.
Abstract translation: 公开了具有消除的信号模糊性的混沌纳米设备和物理不可克隆功能（PUF）安全设备。 根据本发明，混沌纳米装置包括：具有分散在基板上的金属性质和半导体性质的纳米材料; 以及由多个电极组成的电极阵列，所述电极包括被选择为接收块电流区域中的偏置并且在纳米材料上具有选定的畴尺寸的电极。 本发明提供一种具有消除的信号模糊度的混沌纳米装置，其被配置为通过提供信号通过的随机性来提高安全性验证的稳定性。
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公开(公告)号：KR1020160085598A
公开(公告)日：2016-07-18
申请号：KR1020150002799
申请日：2015-01-08
Applicant: 경희대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단 , 이화여자대학교 산학협력단
IPC: H04L9/32
CPC classification number: H04L9/3278
Abstract: 본발명은플렉서블기판상에형성되는복수의카본나노튜브및 상기카본나노튜브상에형성되고, 선정된도메인크기를갖는복수의전극을포함하는전극어레이를포함하는유연카오스나노넷소자및 유연카오스나노넷기반의 PUF 보안장치를개시한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种灵活的混沌纳米装置，以及基于柔性混沌纳米级的PUF安全装置。 柔性混沌纳米装置包括：形成在柔性基板上的多个碳纳米管; 以及形成在所述碳纳米管上并且包括具有选定的畴尺寸的多个电极的电极阵列。
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