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公开(公告)号：KR1020150057270A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130140390
申请日：2013-11-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G11C11/406
CPC classification number: G11C11/40626 , G11C11/40618 , G11C2211/4065
Abstract: 본발명은각 뱅크의온도를고려한메모리의리프레시방법에관한것이다. 본발명의일실시예에의한메모리의리프레시방법은복수의뱅크를구비한디램의리프레시방법에있어서, 소정시간간격으로각 뱅크의온도를측정하는단계; 및상기획득된뱅크의측정온도근거하여뱅크마다리프레시(refresh) 시간간격을다르게적용하여리프레시를수행하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过考虑每个存储体的温度来刷新存储器的方法。 根据本发明的实施例，用于刷新包括多个存储体的D-ram的方法可以包括以下步骤：以预定的时间间隔测量每个存储体的温度; 并通过根据每个银行获得的温度应用不同的时间间隔来刷新每个银行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101771350B1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020160031493
申请日：2016-03-16
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G06F12/1009 , G06F12/0292 , G06F12/06 , G06F2212/651 , G06F2212/681
Abstract: 본발명은모놀리식 3D 집적구조기반캐시메모리를개시한다. 본발명에따르면, 프로세서및 메인메모리와연결되는캐시메모리장치로서, 상위레벨캐시메모리및 상기상위레벨캐시메모리와동일한세트개수를가지며, 상기상위레벨캐시메모리의제1 세트번호를갖는캐시뱅크와동일한세트번호를갖는복수의캐시뱅크들은모놀리식 3D 비아(Monolithic 3D Via)로연결되는캐시메모리장치가제공된다.
Abstract translation: 本发明公开了一种基于单片3D集成结构的高速缓冲存储器。 根据本发明，处理器和作为被连接到所述主存储器中的高速缓冲存储器单元，且具有高级别高速缓冲存储器和带有一组相同的更高级别的高速缓冲存储器的数量，同为具有较高级别的高速缓冲存储器的第一设定数量的高速缓存银行 具有设定号码的多个高速缓存存储体连接到单片3D通道。
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公开(公告)号：KR1020160026445A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140115368
申请日：2014-09-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
CPC classification number: G11C11/406 , G11C11/4093 , G11C11/4096
Abstract: 본발명은리드(read) 명령의리프레시효과를이용하여메모리의리프레시를수행하는방법및 장치에관한것이다. 본발명의일실시예에의한메모리의리프레시방법은측정된데이터유지시간및 설정하고자하는리프레시주기를고려하여제1디램행(row)과제2디램행(row)로구분하는단계; 상기제1디램행에상기리프레시주기보다짧은명령전송주기로리드(read) 명령을전송하는단계; 및상기제2디램행을상기리프레시주기로리프레시하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用读取命令的刷新效果刷新存储器的方法和装置。 根据本发明的实施例的用于刷新存储器的方法包括以下步骤：考虑测量的数据保留周期和要设置的刷新周期，将第一DRAM行与第二DRAM行分离; 通过比刷新周期短的命令传输周期向第一DRAM行发送读命令; 并刷新第二DRAM行。
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公开(公告)号：KR101913930B1
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：KR1020170024233
申请日：2017-02-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 경북대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 모놀리식 3D 집적 기술 기반 수직 비트라인 캐시 메모리에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에 의한 모놀리식 3D 집적 기술 기반 캐시 메모리는 복수 개의 레이어가 적층된 모놀리식 3D 집적 기술 기반 캐시 메모리에 있어서, 제1워드라인이 형성된 제1레이어; 상기 제1레이어 위에 적층되고 제2워드라인이 형성된 제2레이어; 및 상기 제1워드라인과 상기 제2워드라인을 수직으로 연결하는 수직 비트라인을 포함할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020180097352A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：KR1020170024233
申请日：2017-02-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 경북대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은모놀리식 3D 집적기술기반수직비트라인캐시메모리에관한것이다. 본발명의일실시예에의한모놀리식 3D 집적기술기반캐시메모리는복수개의레이어가적층된모놀리식 3D 집적기술기반캐시메모리에있어서, 제1워드라인이형성된제1레이어; 상기제1레이어위에적층되고제2워드라인이형성된제2레이어; 및상기제1워드라인과상기제2워드라인을수직으로연결하는수직비트라인을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101780586B1
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：KR1020160031531
申请日：2016-03-16
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G06F12/0811 , G06F12/0844 , G06F2212/601 , H01L27/0688
Abstract: 본발명은모놀리식 3D 집적구조기반캐시메모리를개시한다. 본발명에따르면, 프로세서및 메인메모리와연결되는캐시메모리장치로서, 상위레벨캐시메모리및 상기상위레벨캐시메모리와동일한세트개수를가지며, 상기상위레벨캐시메모리의제1 세트번호를갖는캐시뱅크와동일한세트번호를갖는복수의캐시뱅크들은모놀리식 3D 비아(Monolithic 3D Via)로연결되는캐시메모리장치가제공된다.
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