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公开(公告)号：WO2014133232A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：PCT/KR2013/006803
申请日：2013-07-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L51/444 , Y02E10/549
Abstract: 본 발명은 투명 전극을 구비하는 수광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예는 광을 흡수하여 전기 에너지를 생성하는 광전 변환층에 접촉하도록 투명 전극을 형성하되, 투명 전극은 빛의 전 영역에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트들이 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 저항변화 물질로 형성되었다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극은 광의 전 파장 영역에 대해서 높은 광투과 특성을 나타냄과 동시에 높은 전기 전도도 특성을 나타내므로 본 발명의 수광소자는 높은 광전 변환 효율을 나타내면서도 양호한 전기적 특성을 나타낸다.
Abstract translation: 本发明涉及具有透明电极的光接收元件及其制造方法。 根据本发明的优选实施例，透明电极形成为与通过吸收光产生电能的光电转换层接触。 透明电极由在整个光线范围内具有高透射率的电阻切换材料制成，并且形成在其中流过电流的导电细丝，使得如果超过固有阈值电压的电压施加到材料上，则电阻状态 的材料从高电阻状态切换到低电阻状态。 因此，由于根据本发明的优选实施方式的透明电极不仅在光的整个波长范围内具有高的透光率，而且具有高导电性，因此根据本发明的光接收元件具有高的光电转换效率和良好的 电性能。
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公开(公告)号：WO2013172511A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/KR2012/007254
申请日：2012-09-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 김희동
CPC classification number: H01L33/42 , H01L29/45 , H01L33/005 , H01L51/442 , H01L51/444 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 투명 전극이 형성된 반도체 장치를 공개한다. 본 발명은 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 물질로 투명 전극을 형성하고, 투명 전극에 전압을 인가하여 투명 전극의 저항상태를 저저항 상태로 변화시키는 포밍(forming) 공정을 수행하여 투명 전극이 전도성을 갖도록 함으로써, 투명 전극의 하부 또는 상부에 형성되는 반도체층과 양호한 오믹 특성을 나타내면서도, 가시광 영역뿐만 아니라 단파장의 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 투과도를 나타내는 투명 전극을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种形成透明电极的方法和通过使用其形成有透明电极的半导体器件。 本发明能够：通过施加的电场将电阻状态从高电阻状态变为低电阻状态的透明材料形成透明电极; 透明电极通过进行向透明电极施加电压并将透明电极的电阻状态改变为低电阻状态的形成步骤而具有导电性，从而在半导体层的下部或上部形成半导体层 透明电极，并且形成透明电极，除了可见光区域之外，其在短波长UV区域中相对于光显示出良好的欧姆特性和高磁导率。
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公开(公告)号：WO2014046373A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/004975
申请日：2013-06-05
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/5215 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0591 , H01L51/102 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/52 , H01L51/5212 , H01L51/5234 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/308 , H05B33/26
Abstract: 본 발명은 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 구비하는 유기 발광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트가 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 유기 발광소자의 투명 전극을 형성함으로써, 유기 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타낼뿐만 아니라, 유기 반도체층을 구성하는 유기물층과 오믹 컨택이 이루어져 전기 전도도가 양호한 투명 전극을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 형성하여 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 유기물층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种设置有具有导电丝的透明电极的有机发光二极管及其制造方法。 本发明具有有机发光二极管的透明电极，其中，所述透明电极对于紫外线区域的光具有高透射率，其中当超过本征临界电压的电压施加到电流时，电流流过的导电细丝 材料，并且由用于将材料的电阻状态从高电阻状态改变为低电阻状态的电阻变化材料形成，使得本发明可以获得在可见光中可以表现出高的光透射率的透明电极 区域和光，并且可以通过与构成有机半导体层的有机层欧姆接触而显示高电导率。 此外，通过在透明电极的上部或下部形成具有优异的导电性和透光性的在石墨烯或CNT上形成作为石墨烯或CNT的电流扩散层，本发明使形成在透明电极内部的导电细丝彼此连接，使得 可以通过向所有有机层扩散引入到透明电极的电流来防止电流浓度。
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公开(公告)号：WO2014010779A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/KR2012/007256
申请日：2012-09-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 김희동
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대해서 높은 광투과도를 나타내면서도 반도체층에 대해서 양호한 오믹 콘택 특성을 나타내는 투명 전극을 구비하는 발광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트가 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 발광소자의 투명 전극을 형성함으로써, 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역(특히, 340nm~280nm 파장 영역 및 280nm 이하의 파장 영역의 자외선)의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타낼뿐만 아니라, 투명 전극의 전도도가 높아, 반도체층과 양호한 오믹 접촉 특성을 나타낸다. 또한, 본 발명은 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 형성하여 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지할 수 있다.
Abstract translation: 本发明提供：尽管相对于紫外线区域的光具有高的光透射率，但是发光元件具有相对于半导体层具有良好的欧姆接触特性的透明电极; 及其制造方法。 本发明涉及形成相对于紫外线区域的光具有高透射率的导电细丝，并且当施加超过物质固有的阈值电压的电压时，允许电流在其内部流动，并且涉及 从电阻状态从物质的高电阻状态向低电阻状态变化的可变电阻物质形成发光元件的透明电极，因此在本发明中，不仅高光 除了从发光元件发射的可见光中的光之外，紫外线区域（特别是在340nm至280nm波长区域中的紫外线和280nm以下的波长区域）中的光的透射率，以及 透明电极高，并且表现出与半导体层的良好的欧姆接触特性。 另外，本发明通过将由透明电极感应出的电流扩展到整个半导体层，可以防止电流拥挤的现象; 这是通过在透明电极的上部或下部形成具有优异的导电性和光透射特性的CNT或石墨烯制成的电流扩散层，并且使形成在透明电极中的导电细丝互相连接来实现的。
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公开(公告)号：WO2015002473A1
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：PCT/KR2014/005930
申请日：2014-07-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42
Abstract: 본 발명은 이미지 센서용 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 일측면과 상기 일측면으로부터 이격되는 타측면을 가지며, 상기 일측면에 패드가 구비된 웨이퍼; 상기 패드 상에 형성되는 캐비티 격벽층; 및 상기 캐비티 격벽층과 결합되는 커버 글라스 기판을 포함하되, 상기 캐비티 격벽층은 상기 웨이퍼의 상기 일측면에 드라이 필름을 이용하여 포토리소그래피 공정으로 형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于图像传感器的晶片级封装及其制造方法，其中封装包括：晶片，其具有一个侧表面，另一侧与一个侧表面间隔开;以及焊盘， 一面 形成在所述垫上的空腔分隔层; 以及耦合到所述空腔隔离层的盖玻璃基板，其中通过使用干涉膜通过光刻工艺在所述晶片的一个侧表面上形成所述空腔隔离层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014129709A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/KR2013/006804
申请日：2013-07-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 본 발명은 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 전극 패드와 반도체층 사이에, 빛의 전 영역에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트들이 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 저항변화 물질로 발광소자의 투명 전극을 형성하였다. 따라서, 본 발명은 전극 패드로 주입되는 전류가 투명 전극에서 발광 소자 전체 영역으로 확산되도록 하여 전류 집중 문제를 해결할 뿐만 아니라, 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역(특히, 340nm~280nm 파장 영역 및 280nm 이하의 파장 영역의 자외선)의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타태고, 전도성 필라멘트의 형성으로 인하여 투명 전극의 전도도가 높아지므로, 반도체층과 양호한 오믹 접촉 특성을 나타낸다. 또한, 본 발명에서 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 더 형성하는 경우, 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지에 더 효율적이다.
Abstract translation: 本发明公开了一种垂直发光装置及其制造方法。 本发明提供了一种插入在电极焊盘和半导体层之间的透明电极，该透明电极由对整个光的全部区域具有高透光率的电阻变化材料制成，当接收到大于固有阈值电压 形成用于使电流流动从而从高电阻状态转换为低电阻状态的导电细丝。 因此，本发明能够使注入电极焊盘的电流在透明电极中的发光元件的整个区域扩散，从而解决电流集中的问题。 透明电极对于由发光元件产生的可见光和紫外线（特别是波长340nm〜280nm，低于280nm的紫外线）的透光性高，形成导电性细丝，从而 增加其导电性，从而显示与半导体层的优异的欧姆接触特性。 此外，根据本发明，如果透明电极的上部或下部附加地具有由具有优异的导电和透光特性的CNT或石墨烯组成的电流扩散层，则形成在透明电极中的导电元件被连接 以便使通过所有半导体层流入透明电极的电流扩散，从而更有效地防止电流集中。
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公开(公告)号：KR1020150004649A
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020130077913
申请日：2013-07-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42
Abstract: 본 발명은 이미지 센서용 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 일측면과 상기 일측면으로부터 이격되는 타측면을 가지며, 상기 일측면에 패드가 구비된 웨이퍼; 상기 패드 상에 형성되는 캐비티 격벽층; 및 상기 캐비티 격벽층과 결합되는 커버 글라스 기판을 포함하되, 상기 캐비티 격벽층은 상기 웨이퍼의 상기 일측면에 드라이 필름을 이용하여 포토리소그래피 공정으로 형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于图像传感器的晶片级封装及其制造方法。 根据本发明的用于图像传感器的晶片级封装包括具有一侧的晶片，另一侧从一侧分离并且在一侧包括焊盘，形成在焊盘上的空腔分隔层，以及 与空腔分隔层组合的盖玻璃基板。 通过使用干膜的光刻法在晶片的一侧上形成空腔分隔层。
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公开(公告)号：KR1020140104144A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：KR1020130017915
申请日：2013-02-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: Disclosed are a vertical light-emitting diode and a method for manufacturing the same. According to the present invention, a transparent electrode is formed between an electrode pad and a semiconductor layer, wherein the transparent electrode is made of a resistance variable material having a high light transmittance for the entire range of light and forming conductive filaments allowing a current to flow therein if a voltage greater than an inherent threshold voltage is applied to the material, so as to be converted from a high-resistance state to a low-resistance state. Thus, the current introduced into the electrode pad can be diffused from the transparent electrode to the entire area of the light-emitting diode, so the problems of current concentration can be resolved. The transparent electrode has a high transmittance for both visible light generated by the light-emitting diode and ultraviolet light (especially, ultraviolet rays in the wavelength region of 340 to 280 nm and the wavelength region of less than 280 nm), and the conductivity of which is increased by the conductive filaments, thereby showing good contact characteristics with the semiconductor layer. In addition, if a current diffusion layer consisting of CNT or graphene having excellent conductivity and light transmittance characteristics is formed on the upper or lower side of the transparent electrode, the conductive filaments formed inside the transparent electrode are connected with one another so as to diffuse the current flowing into the transparent electrode to the whole semiconductor layer, thereby avoiding the current concentration more effectively.
Abstract translation: 公开了一种垂直发光二极管及其制造方法。 根据本发明，在电极焊盘和半导体层之间形成透明电极，其中透明电极由对整个光线范围具有高透光率的电阻变化材料制成，并形成导电细丝，其允许电流 如果将大于固有阈值电压的电压施加到材料上，以便从高电阻状态转换为低电阻状态，则流入其中。 因此，引入电极焊盘的电流可以从透明电极扩散到发光二极管的整个区域，因此可以解决电流集中的问题。 透明电极对于由发光二极管产生的可见光和紫外线（特别是波长340〜280nm的紫外线，波长区域小于280nm）的透射率高， 其由导电丝增加，从而与半导体层显示良好的接触特性。 此外，如果在透明电极的上侧或下侧形成由具有优异的导电性和透光率特性的CNT或石墨烯构成的电流扩散层，则形成在透明电极内部的导电细丝彼此连接以扩散 电流流入透明电极到整个半导体层，从而更有效地避免电流集中。
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公开(公告)号：KR101332686B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120075651
申请日：2012-07-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: The present invention relates to a light emitting diode having a transparent electrode and a method for manufacturing the same which shows a good ohmic contact characteristic for a semiconductor layer while showing high light transmittance for light of an ultraviolet ray area. The present invention shows high light transmittance for not only light of a visible ray area generated in the light emitting diode but also light of the ultraviolet ray area (especially, ultraviolet rays of a wavelength area of 340 nm-280 nm and ultraviolet rays of a wavelength area under 280 nm) by forming a conductive filament in which current flows after voltage in which the transmittance for the light of the ultraviolet ray area is high and critical voltage which is unique to a material is exceeded and forming the transparent electrode into a resistance change material in which resistance state of the material is converted from high resistance state into low resistance state. The present invention has an ohmic contact characteristic which is good with the semiconductor layer. The present invention connects the conductive filaments formed within the transparent electrode by forming a current diffusing layer which is made of CNT or grapheme having good light transmittance and conductivity on the lower or upper part of the transparent electrode, thereby preventing a current concentrating phenomenon after diffusing the current inserted into the transparent electrode to the whole semiconductor layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有透明电极的发光二极管及其制造方法，其显示出对于紫外线区域的光具有高的透光率的半导体层的良好的欧姆接触特性。 本发明不仅对于在发光二极管中产生的可见光区域的光而且对紫外线区域的光（特别是340nm-280nm的波长区域的紫外线和 波长面积在280nm以下），其中电流在其中紫外线区域的光的透射率高并且超过材料唯一的临界电压的电压之后流过电导丝，并将透明电极形成为电阻 改变材料的电阻状态从高电阻状态转变为低电阻状态的材料。 本发明具有与半导体层良好的欧姆接触特性。 本发明通过在透明电极的下部或上部形成由CNT或具有良好的透光率和导电性的具有良好透光率和导电性的电流扩散层形成透明电极中形成的导电细丝，从而防止扩散后的电流集中现象 将电流插入到整个半导体层的透明电极中。
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