公开(公告)号：WO2014104517A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/KR2013/006802

申请日：2013-07-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김태근 ,  안호명 ,  김경헌 ,  박상영

IPC: H01B13/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/3464 ,  C23C14/08 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 반도체 발광 소자에 적용될 수 있는 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극을 공개한다. 본 발명은 자외선 영역에서 투과도가 뛰어나 물질(예컨대, Ga 2 O 3 )과 전기전도도가 뛰어난 물질(예컨대, ITO)을 함께 스퍼터링하여 단일층의 투명 전극을 형성함으로써, 각각의 물질 단독으로 투명 전극을 형성하거나, 각각의 물질은 순차적으로 증착하여 2개의 층으로 투명 전극을 형성하는 경우보다, 자외선 영역에서의 광투과도 및 전기전도도가 모두 뛰어난 투명전극을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成可应用于半导体发光元件的透明电极的方法和通过使用它形成的透明电极。 根据本发明，通过紫外线区域的导电性优异的材料（例如ITO）溅射具有优异透射率的材料（例如Ga 2 O 3），形成单个透明电极层。 因此，与使用各种材料形成透明电极的情况相比，透明电极可以在紫外线区域同时形成为具有优异的光透射率和优异的导电性，并且透明电极为 通过顺序沉积相应的材料形成两层。