Abstract:
본 발명은 음극부체 리튬 분말을 사용함으로서 리튬 메탈 전극의 문제인 덴드라이트(dendrite)성장을 억제하고, 젤-고분자 전해질(gel-polymer electrolyte)을 사용함으로서 전지반응에 참여하는 전극의 유효표면적을 증대시킴과 동시에 덴드라이트 성장을 한층 더 억제하도록 하여 안전성에 기여할 수 있도록 하였고, 기존의 리튬계 양극(lithiated cathode) 대신 비-리튬계 양극(non-lithiated cathode)을 사용함으로서 고용량 장수명화를 가능하게 하는 리튬 이차 전지 및 그 전극 제조 방법에 관한 것이다. 상기 젤-고분자 전해질은 주입 상태에서는 기공이 존재하는 리튬분말전극에 깊숙이 스며들어 전극 표면뿐만 아니라, 내부의 리튬분말도 전지반응에 참여하도록 유도할 수 있으며, 젤화 후에는 분말을 단단히 감싸줌으로써 덴드라이트의 성장을 억제할 수 있다. 이를 통해 종래에 문제시되었던 리튬 메탈 전극의 안전성과 수명안정성에 대한 문제를 극복할 수 있다.
Abstract:
리튬 이차 전지용 전극의 형성 방법에 있어서, 실리콘 산화물 분말 및 리튬 금속 분말을 혼합하여 혼합물을 형성하고, 이후, 상기 혼합물에 대하여 상기 리튬 금속 분말의 녹는점 이상의 온도로 가열함으로써 액상의 리튬 금속 및 실리콘 산화물 분말을 반응시켜, 상기 혼합물로부터 리튬 실리콘 산화물을 형성한다. 이후, 상기 리튬 실리콘 산화물 및 수계 바인더를 이용하여 활물질체를 형성한다.
Abstract:
리튬 이차 전지용 전극은 실리콘 나노 분말, 탄소계 도전 물질 및 바인더로 이루어진 활물질체 및 상기 활물질체의 표면을 커버하는 디엘시(diamond like carbon; DLC)층을 포함한다. 상기 디엘시층은 상기 활물질체의 부피 팽창을 억제할 수 있다. 상기 디엘시층은 상기 활물질체 및 전해액과의 반응이 억제될 수 있다. 따라서, 상기 디엘시층을 포함하는 전극이 리튬 이차 전지에 적용될 경우, 상기 리튬 이차 전지는 안정적인 사이클 특성을 가질 수 있다.
Abstract:
본 발명은 열량조절이 가능한 전기로 및 이를 이용한 금속 및 실리콘의 용융방법에 관한 것으로서, 열량조절이 가능한 전기로에 있어서, 상기 전기로는 온도에 따라 설정된 열량이 투입되도록 열량공급을 조절하는 열량조절부; 상기 전기로 내부의 온도를 측정하여, 상기 열량조절부에 전달하며, 설정된 온도를 초과하여 가열되는 것을 방지하는 온도조절부;를 포함하여 이루어지며, 열량공급에 있어서, 상기 열량조절부는 상기 온도조절부에 우선하여 작동하고, 상기 열량조절부는 시편의 상변태시 필요한 잠열을 고려하여 온도에 따라 필요한 열량 투입을 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 종래와 달리, 온도를 목표로 열량을 제어할 뿐만 아니라, 투입열량 자체를 제어함으로써, 시편의 가열뿐만 아니라 상변태 또한 용이하게 조절할 수 있으며, 금속 등을 용융하는 경우에 상변태로 인한 잠열을 고려하여 목표온도에서도 열량을 공급함으로써 용융잠열을 고려한 열량투입이 가능한 장점이 있다. 뿐만 아니라, 각 시편에 따른 상변태온도와 잠열의 상호관계를 사전에 계산하여 저장할 수 있어 시편마다 세팅할 필요가 없으며, 시편에 최적화된 용융작업을 진행할 수 있는 장점이 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a silicon ribbon and the silicon ribbon manufactured by the same are provided to control impurity and crystal defect after congelation by forming the silicon ribbon while the molten silicon moves along a spiral groove. CONSTITUTION: The molten silicon is manufactured. The molten silicon is injected into a cylindrical spiral rotation substrate(120) with a spiral groove(130) connected from the entrance of an inner wall to an exit. The spiral rotation plate is rotated to move the molten silicon from the entrance to the exit along the spiral groove. The molten silicon formed on the spiral groove in the exit is congealed by cooling the exit of the spiral rotation plate. A silicon ribbon(160) is made by separating the congealed molten silicon from the spiral rotation substrate with a ribbon shape.