-
公开(公告)号：WO2018101573A1
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：PCT/KR2017/008011
申请日：2017-07-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 발광 소자 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법을 공개한다. 본 발명의 발광 소자 디스플레이 장치는, 제 1 방향으로 서로 평행하게 형성된 복수의 제 1 접촉 전극 및 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 서로 평행하게 형성된 복수의 제 2 접촉 전극에 의해서 인접하는 발광 소자들과 서로 연결되는 복수의 발광 소자를 포함하는 발광 소자 어레이로 구성된다. 이 때, 제 1 접촉 전극과 발광 소자 사이에 또는 제 2 접촉 전극과 발광 소자 사이에, 저항 변화 물질로 구성되는 스위칭 소자 또는 스위칭 영역을 형성하고, 제 1 접촉 전극과 제 2 접촉 전극 사이에 안가되는 전압을 조절하여, 각 스위칭 소자 또는 스위치 영역의 저항 상태(스위치 온/스위치 오프)를 변경 및 저장할 수 있다. 따라서, 본 발명은 제 1 접촉 전극 및 제 2 접촉 전극 간에 인가되는 전압을 조절하여 스위칭 소자 또는 스위칭 영역의 저항 상태를 변경하는 것만으로 발광 소자 어레이를 구동이 가능하므로, 저전력 및 저비용으로 디스플레이의 구동이 가능하고, 종래 기술의 발광 소자 어레이를 플립 칩 방식으로 CMOS 기판위에 접합하면서 발생하는 bump 메탈의 열적 안정성 문제 및 misalign 문제를 해소하였다.
-
公开(公告)号：WO2018207972A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：PCT/KR2017/008409
申请日：2017-08-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/00
Abstract: 본 발명은 OMO 구조의 투명 전극이 적용된 투명하고 유연한 저항 변화 메모리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판 상부에 적층되고 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 하부 전극 및 상기 하부 전극과 교차하는 형태로 그 상부에 적층되고 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 상부 전극을 포함하고, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 교차점에서 상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층 사이에 위치한 산화물층이 저항 변화층으로 기능하게 함으로써, 우수한 전기전도도를 확보하면서 유연하고 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다.
-
公开(公告)号：WO2017014441A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/KR2016/007056
申请日：2016-06-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 전도성이 낮은 반도체층과 저항 변화 물질로 형성된 투명 전극의 경계 영역에 나노 단위의 금속으로 형성된 메탈 메쉬를 형성함으로써, 절연체인 투명 전극에 인가된 전계가 메탈 메쉬를 통해서 보다 효율적으로 저항 변화 물질 전체 영역으로 퍼지도록 함으로써, 보다 낮은 전압으로 균일한 밀도의 전도성 필라멘트를 형성할 수 있다. 또한, 투명 전극 아래에 형성된 나노 메탈 메쉬는 투명 전극을 통해서 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시키는 기능을 수행함으로써, 반도체 장치의 전류 주입 효율을 향상시킬 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其包括其中形成有导电细丝的透明电极及其制造方法。 本发明可以通过使施加到作为绝缘材料的透明电极的电场通过金属网更有效地扩展到可变电阻材料的整个区域中，从而形成具有低电压的均匀密度的导电细丝 通过在由导电半导体层形成的透明电极和可变电阻材料的边界处形成由纳米级金属形成的金属网。 此外，形成在透明电极下方的纳米金属网将通过透明电极引入的电流扩散到整个半导体层中，以提高半导体器件的电流注入效率。
-
公开(公告)号：WO2015046766A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/KR2014/008082
申请日：2014-08-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L33/42 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 저항 변화 물질로 투명 전극을 형성하고, 투명 전극에 전압을 인가하여 투명 전극의 저항상태를 저저항 상태로 변화시키는 포밍(forming) 공정을 수행하여 투명 전극이 전도성을 갖도록 함으로써, 투명 전극의 하부 또는 상부에 형성되는 반도체층과 양호한 오믹 특성을 나타내면서도, 가시광 영역뿐만 아니라 단파장의 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 투과도를 나타내는 투명 전극을 형성할 수 있다. 특히, 본 발명은 저항 변화 물질로 형성되는 투명 전극 내부에 나노 파티클 등을 포함시켜 전계를 집중시킴으로써 보다 낮은 전압으로 용이하게 포밍을 수행할 수 있고, 동일한 포밍 전압을 적용하는 경우에는 보다 두껍게 투명 전극을 형성하여 투명 전극의 강도 및 소자의 안전성을 강화시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 저항 변화 물질로 형성되는 투명 전극층을 복수로 적층하여 투명 전극을 형성함으로써 투명 전극의 두께를 두껍게 형성하여, 투명 전극의 강도 및 소자의 안전성을 강화시킬 수 있다. 특히, 복수의 투명 전극층 중 일부를 포밍이 잘되는 물질로 형성함으로써, 투명 전극의 두께를 두껍게 하면서도 포밍 전압을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 복수의 투명 전극층을 적층하여 투명 전극을 형성할 때, 상부로 갈수록 외부 공기층과의 굴절율 차이가 감소되도록 복수의 투명 전극층을 적층함으로써, 반도체층에서 발생되는 빛이 전반사되는 것을 방지하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 반도체층 위에, 투명 전극 위에 형성되는 전극 패드 패턴에 대응되는 패턴으로 투명 전도층을 형성함으로써 광추출 효율을 저하를 최소화하면서도 포밍을 용이하게 하여, 투명 전극의 두께를 두껍게 형성할 수 있고, 따라서 투명 전극의 강도 및 소자 안전성을 강화시킬 수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，使用透明电阻改变材料形成透明电极，其电阻状态根据所施加的电场从高电阻状态变为低电阻状态; 通过向透明电极施加电压以将透明电极的电阻状态改变为低电阻状态使得透明电极具有导电性来进行形成处理; 结果，可以形成透明电极，其透明电极表现出良好的欧姆特性，其中形成在透明电极的下部或上部的半导体层，并且不仅相对于可见光的光而表现出高的透射率 光线范围，也适用于紫外线范围内的短波长光。 特别地，根据本发明，纳米颗粒等被包括在由电阻变化材料制成的透明电极内部，从而集中电场，使得可以在较低电压下容易地进行成型; 当施加相同的成形电压时，形成较厚的透明电极，从而提高透明电极的强度和器件的安全性。 此外，根据本发明，由电阻变化材料制成的多个透明电极层被层叠以形成透明电极，从而形成厚度大的透明电极，提高透明电极的强度和安全性 的设备。 特别地，使用非常适合于形成的材料形成多个透明电极层的一部分，从而增加了透明电极的厚度并降低了形成电压。 此外，当根据本发明堆叠多个透明电极层以形成透明电极时，多个透明电极层被堆叠成使得相对于外部空气层的折射率差异朝向上部 从而防止由半导体层产生的光的全反射并提高光提取效率。 此外，根据本发明，在半导体层上形成透明导电层，其形式与形成在透明电极上的电极焊盘图案对应，使得容易形成，同时使光提取效率的降低最小化，从而形成 具有较大厚度的透明电极，从而提高透明电极的强度和装置的安全性。
-
公开(公告)号：WO2021010555A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：PCT/KR2020/000302
申请日：2020-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 벌크이종접합 구조의 태양전지용 활성층에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명에 따른 활성층은 정공수송물질(HTM)과 전자수송물질(ETM)의 벌크이종접합 구조 내에 페로브스카이트 입자가 분포됨으로 인하여, 태양전지의 광전변환 효율을 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2016175458A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：PCT/KR2016/003093
申请日：2016-03-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 발광 소자 또는 수광 소자를 포함하는 기판 위에 나노 사이즈의 물질로 네트워크를 형성하고, 네트워크의 일부가 잠기도록 패턴층을 형성한 후, 패턴층에서 네트워크를 형성하는 나노 물질을 제거함으로써, 패턴층에 나노 사이즈의 패턴을 형성하고, 그 위에 금속을 증착한 후 패턴층을 제거함으로써, 기판위에 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 종래의 사진 식각 공정을 이용하는 메탈 메쉬 형성 방법에 비하여 간단한 공정으로 나노 사이즈의 선폭을 갖는 메탈 메쉬를 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 소망하는 메탈 메쉬의 선폭에 대응되는 폭을 갖는 나노 물질을 이용함으로써 용이하게 메탈 메쉬의 선폭을 조절할 수 있어, 간단하게 시인성 문제와 모아레(Moire) 현상을 해결 할 수 있다.
Abstract translation: 本发明能够：在包括发光元件或光接收元件的基板上由纳米尺寸材料形成网络; 要形成网状部分的图案层，然后形成用于形成从图案层去除的网络的纳米材料，从而形成在图案层上形成的纳米尺寸图案; 以及在金属沉积在图案上之后要除去的图案层，从而在基板上形成具有纳米线宽度的金属网。 因此，与通过使用常规的光刻工艺形成金属网的方法相比，本发明可以通过简单的工艺形成具有纳米线宽度的金属网，并且还可以通过以下方式容易地调整金属网的线宽 使用具有对应于金属网的期望线宽度的宽度的纳米材料，使得能够简单地解决可见性问题和莫尔条纹现象。
-
-
公开(公告)号：KR1020160128018A
公开(公告)日：2016-11-07
申请号：KR1020150059717
申请日：2015-04-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은발광소자또는수광소자를포함하는기판위에나노사이즈의물질로네트워크를형성하고, 네트워크의일부가잠기도록패턴층을형성한후, 패턴층에서네트워크를형성하는나노물질을제거함으로써, 패턴층에나노사이즈의패턴을형성하고, 그위에금속을증착한후 패턴층을제거함으로써, 기판위에나노사이즈의선폭을갖는메탈메쉬를형성할수 있다. 따라서, 본발명은종래의사진식각공정을이용하는메탈메쉬형성방법에비하여간단한공정으로나노사이즈의선폭을갖는메탈메쉬를형성할수 있을뿐만아니라, 소망하는메탈메쉬의선폭에대응되는폭을갖는나노물질을이용함으로써용이하게메탈메쉬의선폭을조절할수 있어, 간단하게시인성문제와모아레(Moire) 현상을해결할 수있다.
Abstract translation: 本发明能够：在包括发光元件或光接收元件的基板上由纳米尺寸材料形成网络; 要形成网状部分的图案层，然后形成用于形成从图案层去除的网络的纳米材料，从而形成在图案层上形成的纳米尺寸图案; 以及在金属沉积在图案上之后要除去的图案层，从而在基板上形成具有纳米线宽度的金属网。 因此，与通过使用常规的光刻工艺形成金属网的方法相比，本发明可以通过简单的工艺形成具有纳米线宽度的金属网，并且还可以通过以下方式容易地调整金属网的线宽 使用具有对应于金属网的期望线宽度的宽度的纳米材料，使得能够简单地解决可见性问题和莫尔条纹现象。
-
公开(公告)号：KR101766828B1
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020150059717
申请日：2015-04-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은발광소자또는수광소자를포함하는기판위에나노사이즈의물질로네트워크를형성하고, 네트워크의일부가잠기도록패턴층을형성한후, 패턴층에서네트워크를형성하는나노물질을제거함으로써, 패턴층에나노사이즈의패턴을형성하고, 그위에금속을증착한후 패턴층을제거함으로써, 기판위에나노사이즈의선폭을갖는메탈메쉬를형성할수 있다. 따라서, 본발명은종래의사진식각공정을이용하는메탈메쉬형성방법에비하여간단한공정으로나노사이즈의선폭을갖는메탈메쉬를형성할수 있을뿐만아니라, 소망하는메탈메쉬의선폭에대응되는폭을갖는나노물질을이용함으로써용이하게메탈메쉬의선폭을조절할수 있어, 간단하게시인성문제와모아레(Moire) 현상을해결할 수있다.
Abstract translation: 由本发明是除去所述纳米材料的纳米尺寸的材料制成的网络的包括发光元件或受光元件，和形成图案层的基板上形成之后，以配置在所述图案层中的网络，使得网络锁图案的一部分 通过在层上形成纳米尺寸的图案，在其上沉积金属并去除图案层，可以在衬底上形成具有纳米级线宽的金属网。 因此，本发明是纳米材料，并且具有的宽度不仅能够形成具有线宽的金属网的纳米尺寸的通过简单的工艺与使用常规的光刻法形成金属网，对应于期望的金属网的线宽相比 可以容易地调整金属网的线宽，从而可以容易地解决可视性问题和莫尔现象。
-
公开(公告)号：KR101640537B1
公开(公告)日：2016-07-18
申请号：KR1020150104582
申请日：2015-07-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은전도성필라멘트가형성된투명전극을포함하는반도체장치및 이의제조방법을공개한다. 본발명은전도성이낮은반도체층과저항변화물질로형성된투명전극의경계영역에나노단위의금속으로형성된메탈메쉬를형성함으로써, 절연체인투명전극에인가된전계가메탈메쉬를통해서보다효율적으로저항변화물질전체영역으로퍼지도록함으로써, 보다낮은전압으로균일한밀도의전도성필라멘트를형성할수 있다. 또한, 투명전극아래에형성된나노메탈메쉬는투명전극을통해서유입된전류를반도체층전체로확산시키는기능을수행함으로써, 반도체장치의전류주입효율을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括其中形成有导电丝的透明电极。 根据本发明，半导体器件的制造方法在形成有低导电半导体层和电阻变化材料的透明电极的边界区域中形成由纳米单元金属形成的金属网; 并且更有效地将施加到作为绝缘体的透明电极的电场通过金属网扩散到电阻可变材料的整个区域，从而以相对低的电压形成具有均匀密度的导电细丝。 此外，由于形成在透明电极下面的纳米金属网络具有扩展透过透明电极的电流的功能，所以可以提高半导体器件的电流注入效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.018 seconds)
