公开(公告)号：KR100850642B1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：KR1020070010745

申请日：2007-02-01

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 남산 ,  정영훈 ,  임종봉

IPC: H01L27/108

Abstract: 2010년 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor)의 요구조건인 4.0 fF/㎛
2 이상의 정전 용량 밀도, 7 fA/pFV 이하의 낮은 누설전류, 100 ppm/V
2 이하의 정전용량 전압계수(VCC), 50 이상의 품질계수를 모두 만족시킬 수 있는 MIM 캐패시터가 제공된다. 본 발명에 따른 MIM 캐패시터는 상부전극과 하부전극; 및 상부전극과 하부전극 사이에 50~70 nm의 두께를 가지고 형성되는 BaTi
4 O
9 박막을 포함한다. 또한, MIM 캐패시터의 제조방법도 제공된다.
MIM, 캐패시터, ITRS, 정전용량, 누설전류, VCC, TCC

公开(公告)号：KR1020080072249A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：KR1020070010745

申请日：2007-02-01

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 남산 ,  정영훈 ,  임종봉

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L28/65

Abstract: An MIM capacitor using BaTi4O9 and a manufacturing method thereof are provided to raise an integration scale of a semiconductor device by satisfying requirements of an ITRS(International Technology Roadmap or Semiconductor). An MIM(Metal-Insulator-Metal) capacitor includes a substrate(105), which has a Pt/Ti/SiO2/Si structure, a dielectric thin film layer(150), and an upper electrode layer(160). A Pt layer(140) is a lower electrode and has a thickness of 70 nm. An SiO2 layer(120) protects a surface of an Si layer and used as a base layer. A BaTi4O9 thin film is formed on the substrate as the dielectric thin film. The upper electrode layer, which is used as an upper electrode of the MIM capacitor, is formed on the dielectric thin film.

Abstract translation: 提供使用BaTi4O9的MIM电容器及其制造方法，以通过满足ITRS（国际技术路线图或半导体）的要求来提高半导体器件的集成度。 一种MIM（金属 - 绝缘体 - 金属）电容器包括具有Pt / Ti / SiO 2 / Si结构的基底（105），电介质薄膜层（150）和上电极层（160）。 Pt层（140）是下电极，其厚度为70nm。 SiO 2层（120）保护Si层的表面并用作基底层。 在基板上形成BaTiO4O9薄膜作为电介质薄膜。 用作MIM电容器的上电极的上电极层形成在电介质薄膜上。