公开(公告)号：KR100907471B1

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020070126001

申请日：2007-12-06

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  이현우 ,  정순욱

IPC: G11B9/02 ,  G11C11/22 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G11C11/14 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5607 ,  G11C19/0808

Abstract: 나노선 및 이를 이용한 전류 인가 자벽 이동을 이용한 메모리 소자가 개시된다.
본 발명에 따른 나노선은, 수직 자기 이방성을 가지는 나노선에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질인 강자성체의 단위면적당 포화 자화양, 자벽 두께 및 스핀 분극률에 의해 연산 되는 전류 밀도 가 일 때, 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 에 따른 및 가 에 의해 구성된다.
본 발명에 의하면, 수직이방성을 가지는 나노선에서 주어진 재료에 대하여 자벽이동을 시키기 위한 임계전류밀도가 상용화를 위해 요구되는 특정값 이하를 만족하는 최적의 나노선 폭 및 두께를 결정하여, 전류 구동 자벽 이동을 이용한 메모리 소자를 구동할 수 있는 전류 밀도가 이하가 되도록 설계할 수 있어서, 현재 상용되고 있는 나노선에서의 자벽 이동을 시키기 위한 전류 밀도보다 적어도 10배 이상 낮은 값을 가지므로, 고 전력 소모 및 주울열에 의한 소자의 오작동 문제를 해결할 수 있으며, 저렴한 비용으로 메모리 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020110058750A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020110031858

申请日：2011-04-06

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  서수만 ,  이현우 ,  정순욱

IPC: H01F10/32 ,  H01F13/00 ,  H03B15/00

Abstract: PURPOSE: A device for generating high frequency microwave and high frequency magnetic field using spin transfer torque are provided to perform big magnetization rotation by having a high threshold current. CONSTITUTION: In a device for generating high frequency microwave and high frequency magnetic field using spin transfer torque, the high frequency microwave generation device comprises a fixed magnetic layer(200), a first nonmagnetic layer(201), and a free magnetic layer(202). The high frequency microwave production device comprises a second nonmagnetic layer(203), a sensing magnetic layer(204), and an anti- ferroelectric material layer(210). The free magnetic layer comprises a first thin film(205) and a second thin film(206). The first thin film comprises a first soft magnetic member. The second thin film comprises a second soft magnetic member. The second material has a negative magnetic anisotropy constant. The fixed magnetic layer has the vertical magnetization characteristic of a thin film. A sensing magnetic layer has the vertical magnetization characteristic of the thin film.

Abstract translation: 目的：提供使用自旋转矩转矩产生高频微波和高频磁场的装置，通过具有高阈值电流来执行大磁化旋转。 构成：在使用自旋转矩转矩产生高频微波和高频磁场的装置中，高频微波发生装置包括固定磁性层（200），第一非磁性层（201）和自由磁性层（202） ）。 高频微波生产装置包括第二非磁性层（203），感测磁性层（204）和抗铁电材料层（210）。 自由磁性层包括第一薄膜（205）和第二薄膜（206）。 第一薄膜包括第一软磁体。 第二薄膜包括第二软磁体。 第二种材料具有负磁各向异性常数。 固定磁性层具有薄膜的垂直磁化特性。 感测磁性层具有薄膜的垂直磁化特性。

公开(公告)号：KR1020090059250A

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：KR1020070126001

申请日：2007-12-06

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  이현우 ,  정순욱

IPC: G11B9/02 ,  G11C11/22 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G11C11/14 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5607 ,  G11C19/0808

Abstract: A nano wire and a memory device using current-induced domain wall displacement are provided to recruit the magnetization direction of perpendicularity on membrane and prevent the malfunction of the device. A nano wire recruits the method that magnetization direction is perpendicular on the film surface. The nano wire lowers the threshold current density under 10 ∧ 7A/cm^2 for moving a domain wall with only current not applying the magnetic filed by optimizing the structure of nano wire.

Abstract translation: 提供使用电流诱导畴壁位移的纳米线和存储器件，以招募膜上的垂直度的磁化方向，并防止器件的故障。 纳米线招募了磁化方向在膜表面垂直的方法。 通过优化纳米线的结构，纳米线降低了10 ^ 7A / cm ^ 2下的阈值电流密度，用于移动畴壁，只有电流不施加磁场。

公开(公告)号：KR101114281B1

公开(公告)日：2012-03-05

申请号：KR1020080045180

申请日：2008-05-15

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  서수만 ,  이현우 ,  정순욱

IPC: H01F13/00

Abstract: 본발명에따른고주파마이크로웨이브생성소자는고정자성층 / 비자성층 / 자유자성층 / 비자성층 / 감지자성층 / 반강자성층으로구성된구조이며, 상기자유자성층은연자성의제 1 물질을포함하는제 1 박막및 음의자기이방성상수(K)를갖는제 2 물질로이루어진제 2 박막을포함하고, 상기고정자성층은박막의수직방향의자화특성을가지며, 그리고상기감지자성층은박막의수평방향의자화특성을가지며, 본발명에따른고주파마이크로웨이브생성소자는보다높은전류에서도자화회전이가능하다. 따라서본 발명에따른고주파소자는고주파교류신호를생성할수 있으므로, 이러한고주파영역에서구동되는 Resonator, Oscillator, Band-path filter 등의소자의개발에따라기존소자에비해보다많은정보를빠른시간에전송및 처리할수 있으므로, 소자의효율성을증대시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101368298B1

公开(公告)日：2014-03-03

申请号：KR1020110031858

申请日：2011-04-06

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  서수만 ,  이현우 ,  정순욱

IPC: H01F10/32 ,  H01F13/00 ,  H03B15/00

Abstract: 스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자 및 고주파 자기장 생성 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 고정 자성층 / 비자성층 / 자유 자성층 / 비자성층 / 감지 자성층 / 반강자성층으로 구성된 구조이며, 상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질로 이루어진 제 2 박막을 포함하고, 상기 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고 상기 감지 자성층은 박막의 수평방향의 자화 특성을 가지며, 본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 보다 높은 전류에서도 자화회전이 가능하다. 따라서 본 발명에 따른 고주파 소자는 고주파 교류신호를 생성할 수 있으므로, 이러한 고주파 영역에서 구동되는 Resonator, Oscillator, Band-path filter 등의 소자의 개발에 따라 기존 소자에 비해 보다 많은 정보를 빠른 시간에 전송 및 처리할 수 있으므로, 소자의 효율성을 증대시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090119253A

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：KR1020080045180

申请日：2008-05-15

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  서수만 ,  이현우 ,  정순욱

IPC: H01F13/00

Abstract: PURPOSE: A device for generating a high frequency microwave and a high frequency magnetic field is provided to transmit and process much information at a short time by generating a high frequency AC signal. CONSTITUTION: A device for generating a high frequency microwave and a high frequency magnetic field includes a fixing magnetic layer(200), a first non-magnetic layer(201), a free magnetic layer(202), a second non-magnetic layer(203), a detecting magnetic layer(204), and an antiferromagnetic layer(210). The free magnetic layer comprises a first thin film and a second thin film. The first thin film includes a first material. The first material is one selected among Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, and mixture thereof. The second thin film includes a second material having a negative magnetic anisotropy constant. The fixing magnetic layer has a magnetization property of a vertical direction. The detecting magnetic layer has a magnetization property of a horizontal direction.

Abstract translation: 目的：提供一种用于产生高频微波和高频磁场的装置，通过产生高频AC信号在短时间内传输和处理大量信息。 构成：用于产生高频微波和高频磁场的装置包括固定磁性层（200），第一非磁性层（201），自由磁性层（202），第二非磁性层（ 203），检测磁性层（204）和反铁磁层（210）。 自由磁性层包含第一薄膜和第二薄膜。 第一薄膜包括第一材料。 第一种材料选自Fe，Co，Ni，B，Si，Zr及其混合物。 第二薄膜包括具有负磁各向异性常数的第二材料。 固定磁性层具有垂直方向的磁化特性。 检测磁性层具有水平方向的磁化特性。