公开(公告)号：KR1020090047246A

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：KR1020070113306

申请日：2007-11-07

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 남산 ,  조경훈 ,  정영훈

IPC: C04B35/495 ,  H01B3/10

CPC classification number: H01B3/12 ,  H01H13/704 ,  H01L28/75

Abstract: 본 발명에 따른 스위칭 소자는 화학식1 Bi
5 Nb
3 O
15 의 유전체 조성물로 형성되는 유전체 박막층을 포함한다.
따라서 본 발명에 따른 유전체 조성물은 화학식 1의 Bi
5 Nb
3 O
15 조성을 갖으며, 400℃ 이하의 저온 공정에서 형성할 수 있는 유전 박막 재료를 확보할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유전체 조성물 및 이로 형성되는 유전체 박막층을 구비하는 스위칭 소자는 고유전율, 저유전손실 및 저온에서 용이한 증착공정으로 성능이 향상될 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100902870B1

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：KR1020070113306

申请日：2007-11-07

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 남산 ,  조경훈 ,  정영훈

IPC: C04B35/495 ,  H01B3/10

Abstract: 본 발명에 따른 스위칭 소자는 화학식1 Bi
5 Nb
3 O
15 의 유전체 조성물로 형성되는 유전체 박막층을 포함한다.
따라서 본 발명에 따른 유전체 조성물은 화학식 1의 Bi
5 Nb
3 O
15 조성을 갖으며, 400℃ 이하의 저온 공정에서 형성할 수 있는 유전 박막 재료를 확보할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유전체 조성물 및 이로 형성되는 유전체 박막층을 구비하는 스위칭 소자는 고유전율, 저유전손실 및 저온에서 용이한 증착공정으로 성능이 향상될 수 있는 효과가 있다.