Abstract:
본 발명은 용액합성법을 이용한 상분리된 텔러륨 납-황화 납 나노분말의 제조방법 및 이로부터 제조된 상분리된 텔러륨 납-황화 납 나노분말에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, (a) 텔러륨 (Te) 및 제1 용매를 혼합하고, 초음파를 조사하여 텔러륨-혼합용액을 얻는 단계; (b) 황 (S) 유기물을 제2 용매와 혼합하고, 초음파를 조사하여 황-혼합용액을 얻는 단계; (c) 산화 납 (PbO)을 제3 용매 및 제4 용매와 혼합하고 가열하는 단계; (d) 상기 (c) 단계의 결과물에, 상기 (a) 단계에서 제조된 텔러륨-혼합용액을 첨가하여 반응시키는 단계; (e) 상기 (d) 단계의 결과물에, 상기 (b) 단계에서 제조된 황-혼합용액을 첨하여 반응시키는 단계; 및 (f) 상기 (e) 단계의 결과물을 상온으로 냉각시켜 텔러륨 납-황화 납 상분리 나노분말을 얻는 단계를 포함하는 용액합성법을 이용한 상분리된 텔러륨 납-황화 납 나노분말의 제조방법 및 이로부터 제조된 상분리된 텔러륨 납-황화 납 나노분말에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 텔러륨 납 및 황화 납이 상분리된 상태로 존재하는 나노분말을 단시간 내에 저온에서 대량으로 제조할 수 있다. 본 발명은 열전발전 분야 및 적외선 응용 분야에 유용하게 이용될 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명에서 제시하고 있는 합성 온도 범위에서는 열역학적으로 발생하기 어려운 스피노달 상분리 현상을 발견함으로써, 나노미터 단위의 미세구조 제어의 가능성을 보여주고 있어, 미세구조 제어의 새로운 방법으로 제시될 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating high-efficiency bulk thermoelectric composites having core/shell nanorod structures, and thermoelectric composites fabricated by the same are provided to fabricate the thermoelectric composites in a low temperature and to be used in various industries. CONSTITUTION: Bi2Te3 nanorods for a core are synthesized(S100). Bi2Te3 of a core/shell structure is synthesized(S110). Bi2Se3 nanorods of the core/shell structure are synthesized(S200). An SPS(Spark Plasma Sintering) process is performed on the nanorods. The nanorods are laminated to fabricate a bulk thermoelectric material. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S100) Synthesize Te-nanorods; (S110) Synthesize Bi_2Te_3 nanorods for core; (S200) Form Bi_2Se_3 shell and synthesize Bi_2Te_3/Bi_2Se_3 core/shell nanorods; (S300) Form SPSed green-compact; (S310) Form SPSed bulk-Bi_2Te_3/Bi_2Se_3 thermoelectric compact
Abstract:
The present invention relates to a novel method for manufacturing a tapering tin sulfide nanorod via a solution synthesis method and, more particularly, to a method for manufacturing a tin sulfide nanorod induced by a self-catalyst and grown by a solution-liquid-liquid-solid (SLLS) method. The manufacturing method according to the present invention can be used for the materials of photoelectronic devices, photovoltaic cells or holographic optical devices because tin sulfide can be manufactured without adding another catalyst, process steps can be reduced, as the synthesis of bismuth (Bi) or gold (Au) nanoparticles is not necessary, and a high-crystallinity tapering nanorod can be manufactured in short time at low costs. Moreover, the method for manufacturing a tin sulfide (SnS) nanorod according to the present invention can be applied to use tin (Sn) or Indium (In) as a catalyst in not only tin sulfide (SnS) but also another system via a mechanism of tin (Sn), which has excellent reactivity to be unstable and is difficult to be synthesized into nanoparticles, functioning as a self-catalyst at an initial point of reaction. The method for manufacturing tin sulfide (SnS) according to the present invention can be provided as a novel method for growing a nanoline by disclosing an SLLS growth mechanism.