公开(公告)号：KR101684800B1

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：KR1020150140793

申请日：2015-10-07

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김지현 ,  조은우 ,  정영훈

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명의일 실시예에따른플라즈마처리를이용한 CdTe 박막형성방법은 (A) 제이염화금용액(AuCl용액)이금속기판에스핀코팅된후 열처리되면서, 금속기판에금(Au)입자가코팅되는단계; (B) 금(Au)입자가코팅된금속기판이플라즈마처리되어, 금(Au)입자가코팅된금속기판의표면에표면개질층이형성되는단계; 및 (C) (B) 단계후, 금(Au)입자가코팅된금속기판의표면에카드뮴텔루라이드(CdTe)가증착되면서, 표면개질층에카드뮴텔루라이드(CdTe) 박막이형성되는단계를포함하는것이바람직하다.