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公开(公告)号：KR102075574B1
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：KR1020130056449
申请日：2013-05-20
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
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公开(公告)号：KR101666742B1
公开(公告)日：2016-10-18
申请号：KR1020150045163
申请日：2015-03-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01S19/20
Abstract: 이미징렌즈구조물은, 투명기판, 투명기판상에형성되며, 분산된금속나노입자들로이루어져시편으로부터발생하는근접장빛을증폭시키는근접장증폭층, 투명기판상에근접장증폭층을덮도록형성되며, 근접장빛을이동시킬수 있는근접장이동층및 근접장이동층의상부에구비되며, 빛을선택적으로투과시킬수 있도록구비된광투과층패턴을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140136213A
公开(公告)日：2014-11-28
申请号：KR1020130056449
申请日：2013-05-20
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/22 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L2933/0091
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 기판(70); 상기 기판(70) 상에 제2 도전형 반도체층(13); 상기 제2 도전형 반도체층(13) 상에 활성층(12); 상기 활성층(12) 상에 제1 도전형 반도체층(11); 및 상기 제1 도전형 반도체층(11) 상에 상부와 하부의 폭이 다른 광추출 나노패턴(25);을 포함할 수 있다.Abstract translation: 本发明的实施例涉及照明装置，其制造方法，发光装置封装和照明系统。 根据本发明实施例的发光器件包括：衬底（70），形成在衬底（70）上的第二导电半导体层（13），形成在第二衬底上的有源层（12） 导电半导体层（13），形成在有源层（12）上的第一导电半导体层（11）和形成在第一导电半导体层（11）上的光提取纳米图案（25）。 其中，光提取纳米颗粒的上部宽度与光提取纳米图案的较低宽度不同。
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公开(公告)号：KR1020160025061A
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020140110714
申请日：2014-08-25
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/13
Abstract: 광기능성패턴구조물의제조방법에따르면, 기판상에제1 굴절율을갖는제1 물질로이루어지며그 상부에요철을갖는광 기능성패턴을형성하고, 상기광 기능성패턴상에, 상기제1 굴절율과다른제2 굴절율을갖는제2 물질로이루어지고평탄화된상부면을갖는평탄화층을형성한다.
Abstract translation: 根据制造光功能图案结构的方法，在基板上形成由具有第一折射率的第一材料形成并且在上部具有偶数部分的光功能图案，并且平坦化层， 由具有不同于第一折射率的第二折射率的第二材料形成，并且包括平坦的上表面，形成在光功能图案上。 本发明的目的是提供一种制造具有改进的表面粗糙度的光功能图案结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101436743B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020130070693
申请日：2013-06-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: According to the present invention, a manufacturing method of a vertical light emitting diode includes the steps of: preparing a substrate; forming a compound semiconductor structure that includes a first semiconductor layer in a first conductive type, an active layer, and a second semiconductor layer in a second conductive type on the substrate; transferring a resist pattern having a submicron size or less on the second semiconductor layer; and forming a concave-convex pattern on the second semiconductor layer by performing an anisotropic etching process on the upper surface of the second semiconductor using the resist pattern as an etching mask.
Abstract translation: 根据本发明，垂直发光二极管的制造方法包括以下步骤：制备衬底; 形成化合物半导体结构，所述化合物半导体结构包括在所述基板上的第二导电类型的第一导电类型，有源层和第二半导体层中的第一半导体层; 在所述第二半导体层上转印具有亚微米尺寸以下的抗蚀剂图案; 以及通过使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模在第二半导体的上表面上进行各向异性蚀刻处理，在第二半导体层上形成凹凸图案。
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公开(公告)号：KR101337027B1
公开(公告)日：2013-12-06
申请号：KR1020110138798
申请日：2011-12-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 그래핀 구조물의 제조 방법에 있어서, 베이스부 및 상기 베이스부의 일면으로부터 부분적으로 돌출된 돌출부를 갖도록 제1 패턴이 형성된 그라파이트화 촉매막 패턴을 준비한다. 상기 그라파이트화 촉매막 패턴 상에 탄소계 물질을 공급하여, 상기 그라파이트화 촉매막 패턴 상에 상기 베이스부 및 상기 돌출부를 따라 컨포멀하게 그래핀막을 형성한다. 따라서, 삼차원 구조를 갖는 그래핀막이 형성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160117776A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150045163
申请日：2015-03-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01S19/20
Abstract: 이미징렌즈구조물은, 투명기판, 투명기판상에형성되며, 분산된금속나노입자들로이루어져시편으로부터발생하는근접장빛을증폭시키는근접장증폭층, 투명기판상에근접창증폭층을덮도록형성되며, 근접장빛을이동시킬수 있는근접장이동층및 근접적이동층의상부에구비되며, 빛을선택적으로투과시킬수 있도록구비된광투과층패턴을포함한다.
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公开(公告)号：KR101551098B1
公开(公告)日：2015-09-08
申请号：KR1020140070841
申请日：2014-06-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G02B1/00
Abstract: 나노 메탈 구조물의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 제1 리프트 오프 박막을 형성하고, 상기 제1 리프트 오프 박막 상에, 상호 이격되어 상기 제1 리프트 오프 박막을 부분적으로 노출된 제2 리프트 오프 패턴들을 형성한다. 상기 노출된 제1 리프트 오프 박막 상에, 상호 평행한 제1 금속 박막 패턴과 제2 금속 박막 패턴 및 상기 제1 및 제2 금속 박막 패턴들 사이에 개재된 유전체 박막 패턴을 각각 갖는 메타 단위체들을 형성한다. 이후, 상기 제2 리프트 오프 패턴을 제거하여 상기 메타 단위체들 각각의 측벽을 노출시키고, 상기 메타 단위체들 각각의 측벽에 스페이서를 형성한다.
Abstract translation: 一种制造纳米间位结构的方法包括以下步骤：在基底上形成第一剥离薄膜; 在第一剥离薄膜上形成彼此分离的第二剥离图案并且部分地暴露第一剥离薄膜; 形成包括彼此平行的第一金属薄膜图案和第二金属薄膜图案的元单元和介于第一和第二金属薄膜图案之间的电介质薄膜图案，在暴露的第一剥离薄膜上; 去除第二剥离图案以暴露每个元单元的侧壁; 以及在每个元单元的侧壁上形成间隔物。
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公开(公告)号：KR1020130071546A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：KR1020110138798
申请日：2011-12-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: C01B32/182 , C01B2204/20 , C01B2204/22 , H01B5/14
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of graphene structured material is provided to increase contact area between adjacent films by forming a flexible graphene film having optical permeability and electric conductance, thereby improving electrical characteristic of an electric component which uses a graphene film as an electrode. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene structured material comprises the steps of: preparing a graphite catalytic layer pattern formed with a first pattern to have a base unit and a protrusion unit which is partially protruded from the base unit; and forming a graphene film (120) conformally according to the base and protrusion units on the graphite catalytic layer pattern by supplying a carbon-based material on the graphite catalytic layer pattern.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯结构材料的制造方法，以通过形成具有光导率和导电性的柔性石墨烯膜来增加相邻膜之间的接触面积，从而改善使用石墨烯膜作为电极的电气部件的电特性。 构成：石墨烯结构材料的制造方法包括以下步骤：制备形成有第一图案的石墨催化剂层图案以具有基底单元和从基底部分突出的突出单元; 以及通过在所述石墨催化剂层图案上供应碳基材料，根据所述石墨催化剂层图案上的所述基底和突出单元共形形成石墨烯膜（120）。
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