公开(公告)号：KR101487102B1

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：KR1020130116461

申请日：2013-09-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이헌 ,  최제홍

IPC: C03C17/30 ,  B05D3/00

CPC classification number: C03C17/007 ,  C03C12/02 ,  C03C17/32 ,  C03C23/002 ,  C03C23/007

Abstract: 유리 기판 구조물의 제조 방법에 있어서, 수소 실세스퀴옥산(HSQ) 수지, 나노 크기의 평균 직경을 갖는 제1 실리카 입자를 포함하는 실리카 비드들 및 용매를 포함하는 혼합액을 형성한다. 상기 혼합액을 이용하여, 유리 기판의 상부 표면에 예비 코팅막을 형성한 후, 상기 예비 코팅막을 열처리하여, 상기 유리 기판의 상부 표면에 광산란 패턴을 구비한 코팅막을 형성한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种能够形成包含氢倍半硅氧烷（HSQ）树脂的混合溶液，含有纳米级平均直径的第一二氧化硅颗粒的二氧化硅珠粒和溶剂的玻璃基板结构的制造方法。 制造玻璃基板结构的方法包括：在玻璃基板的上表面上形成预涂膜之后，通过对预涂膜进行热处理，在玻璃基板的上表面上形成散射图案的涂膜。 本发明的目的是提供一种能够通过相对简单的工艺在玻璃基板的表面上形成光散射图案的玻璃基板的制造方法。

公开(公告)号：KR101491910B1

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：KR1020130073124

申请日：2013-06-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이헌 ,  최학종 ,  최제홍 ,  추소영

IPC: H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 광활성층 구조물은 제1 전하를 수용하도록 구비되며, 제1 나노 패턴을 구비한 제1 반도체 박막 및 상기 제1 반도체 박막 상에 형성되며 제2 나노 패턴을 갖는 제2 반도체 박막을 구비하는 제1 전하 수용층 및 상기 제1 전하 수용층 상에 배치되며, 상기 제1 전하에 반대되는 제2 전하를 수용하도록 구비된 제2 전하 수용층을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020150000688A

公开(公告)日：2015-01-05

申请号：KR1020130073124

申请日：2013-06-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이헌 ,  최학종 ,  최제홍 ,  추소영

IPC: H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/44

Abstract: 광활성층 구조물은 제1 전하를 수용하도록 구비되며, 제1 나노 패턴을 구비한 제1 반도체 박막 및 상기 제1 반도체 박막 상에 형성되며 제2 나노 패턴을 갖는 제2 반도체 박막을 구비하는 제1 전하 수용층 및 상기 제1 전하 수용층 상에 배치되며, 상기 제1 전하에 반대되는 제2 전하를 수용하도록 구비된 제2 전하 수용층을 포함한다.

Abstract translation: 本发明提供了具有改善的光吸收效率的光敏层结构，其包括第一电荷接收层，该第一电荷接收层包括第一半导体薄膜，该第一半导体薄膜包括第一纳米图案和形成在第一半导体薄膜上的第二半导体薄膜， 第二纳米图案和第二电荷接收层，其布置在第一电荷接收层上并且接收与第一电荷相反的第二电荷。