公开(公告)号：WO2018174514A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：PCT/KR2018/003212

申请日：2018-03-20

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 장재형 ,  아눕라니 ,  오세이

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/00

Abstract: 다중레벨의 저항 및 정전용량 값을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자를 제공한다. 이러한 비휘발성 메모리 소자는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하되, 인가되는 전압에 따른 전하의 터널링 전도현상에 의해 저항 및 정전용량이 변화하고, 정류 특성을 갖고, 유전체 물질을 포함하는 유전체층, 상기 유전체층 상에 위치하되, 인가되는 전압에 따라 저항 및 정전용량 변화가 일어나고, 산화그래핀 복합체를 포함하는 활성층 및 상기 활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. 또한, 인가되는 전압에 따라 다중레벨의 저항 및 정전용량 값을 갖는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101869378B1

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：KR1020160074866

申请日：2016-06-16

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 장재형 ,  아눕라니 ,  오세이

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/147 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0097 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/685 ,  H01L29/7869 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1608

Abstract: 본발명에따른비휘발성메모리소자는반도체기판상에마련되는하부전극, 상기하부전극상에마련되는저항층및 상기저항층상에마련되는상부전극을포함하고, 상기저항층은산화그라핀(Graphene Oxide) 박막과산화철(Iron Oxide) 박막을포함하고, 상기산화그라핀박막상에상기산화철박막이적층된구조이며, 상기상부전극에인가되는전압에따라상기저항층의저항값이변화되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020170141889A

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：KR1020160074866

申请日：2016-06-16

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 장재형 ,  아눕라니 ,  오세이

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/147 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0097 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/685 ,  H01L29/7869 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1608

Abstract: 본발명에따른비휘발성메모리소자는반도체기판상에마련되는하부전극, 상기하부전극상에마련되는저항층및 상기저항층상에마련되는상부전극을포함하고, 상기저항층은산화그라핀(Graphene Oxide) 박막과산화철(Iron Oxide) 박막을포함하고, 상기산화그라핀박막상에상기산화철박막이적층된구조이며, 상기상부전극에인가되는전압에따라상기저항층의저항값이변화되는것을특징으로한다.

Abstract translation: 根据本发明包括设置在下部电极，设置在半导体基板上的下部电极，其中所述电阻层被氧化石墨烯（石墨烯氧化物的电阻层和电阻层上的上电极的非易失性存储器设备 ）的特征在于，所述电阻层的电阻值与所述薄膜和所述铁氧化物（氧化铁）而变化，并且包括一种薄膜，其中，所述氧化物节pinbak的铁氧化物薄膜层压在膜结构，施加于上部电极上的电压 。