公开(公告)号：KR1020080095610A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：KR1020070040336

申请日：2007-04-25

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김철성 ,  최강룡 ,  김삼진 ,  채종서 ,  이희민

IPC: H01L43/00

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: A magnetic control method of the magnetic semiconductor matter by injecting a proton is provided to improve a magnetic property without changing the crystal structure of TiO2 added with a very small amount of Fe. A magnetic control method of the magnetic semiconductor matter by injecting a proton comprises; ;generating hydrogen ions(H+, H-) for plasma; accelerating H+ ions in a chamber; selecting proton beam of 25~35 MeV through a decelerating device consisting of Al; determining a suitable distance using SRIM 2004 program to identify the effect of injecting proton into a sample and minimizing an amount of current and intensity of proton beam; irradiating the proton beam of 6~7 MeV and lowering the current of 15~25 nA on the sample to 1~10 pc unit area per time; monitoring the intensity of proton beam and amount of current by a monitor.

Abstract translation: 提供通过注入质子的磁性半导体物质的磁控制方法来改善磁性，而不改变添加有非常少量的Fe的TiO 2的晶体结构。 通过注入质子的磁性半导体物质的磁控制方法包括： ;产生等离子体的氢离子（H +，H-）; 加速室内的H +离子; 通过由Al组成的减速装置选择25〜35MeV的质子束; 使用SRIM 2004程序确定合适的距离以识别将质子注入到样品中并且最小化质子束的电流和强度的量的影响; 照射6〜7MeV的质子束，将样品上15〜25nA的电流降低至每次1〜10 pc单位面积; 通过监视器监测质子束的强度和电流量。

公开(公告)号：KR101877498B1

公开(公告)日：2018-08-22

申请号：KR1020160088050

申请日：2016-07-12

Applicant: 광운대학교 산학협력단 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 김철성 ,  최현경 ,  김삼진 ,  최정훈 ,  최은하

IPC: H01F1/06 ,  B22F9/30 ,  B22F9/14

Abstract: 자기발열효과가증대된자성나노입자및 그제조방법을개시한다. 본발명의일 실시예는자성물질전구체, 계면활성제, 및용매를상온에서혼합하는혼합단계; 상기혼합단계에서혼합된용액을반응온도로가열하여설정된시간동안반응을지속해주는반응단계; 상기반응단계를거친용액을원심분리기또는자성을이용하여예비-자성나노입자를분리하는분리단계; 및상기예비-자성나노입자에바이오-플라즈마를조사하여자성나노입자를제조하는플라즈마처리단계;를포함하며, 상기바이오-플라즈마는유전체장벽방전방식으로발생된비열성(nonthermal) 대기압플라즈마인, 자성나노입자의제조방법을개시한다.

公开(公告)号：KR100869290B1

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：KR1020070040336

申请日：2007-04-25

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김철성 ,  최강룡 ,  김삼진 ,  채종서 ,  이희민

IPC: H01L43/00

Abstract: 본 발명은 양성자 주입에 따른 자성반도체 물질의 자성제어 방법에 관한 것으로, 특히 더욱 상세하게는 양성자의 주입에 따른 자성반도체 물질에 대한 자성제어와 관련하여 자성반도체내에서의 자기적인 성질의 발현에 관련된 메커니즘을 규명하고, 사이클로트론 장치를 이용하여 양성자를 유도한 후 자성반도체 물질인 철이 미량 치환된 TiO
2 에 양성자를 주입하기 위하여 적절한 거리와 세기를 조절하여 철이 미량 치환된 TiO
2 물질의 결정구조가 변화하지 않고 자기적인 성질이 개선되는 효과가 있다.
상기 본 발명인 양성자 주입에 따른 자성반도체 물질의 자성제어 방법은 가속기 챔버 중앙에 이온원이 존재하므로 그 안에 수소 가스를 흘리고 플라즈마를 형성시켜 수소 이온(H+, H-)을 발생시키는 단계(a)와; 상기 발생된 수소이온 중에서 H+만 전기적으로 이온원으로부터 인출하여 전기장과 자기장이 존재하는 가속기 챔버 내에서 25 내지 35 MeV의 에너지로 가속시키는 단계(b)와; 상기 가속기 선원으로부터 25 내지 35 MeV의 세기를 갖는 양성자 빔을 Al으로 만들어진 감쇄기를 거치도록 장치하는 단계(c)와; 상기 양성자가 시료 내부에 주입됨에 따른 효과를 보기 위하여 SRIM 2004 프로그램을 이용하여 하전입자가 물질 내를 통과할 때의 저지능을 계산하여 거리를 결정하고, 양성자 빔의 세기 및 전류의 양을 최소화하는 단계(d)와; 상기 양성자 빔의 세기를 6 내지 7 MeV, 전류의 양은 15 내지 25 nA 로 낮추어 시료에 단위면적당 1 ~ 10 pc의 양이 되도록 시간의 변화에 따라 조사하는 단계(e)와; 상기 시료가 장착되는 위치와 동일한 곳에 모니터를 장착하여 양성자 빔의 세기 및 전류의 양을 일정하게 유지하여 정확하게 관측하는 단계(f); 를 포함함을 특징으로 한다.
사이클로트론 장치, 양성자 주입, 자성반도체, 자성제어, 철이 미량 치환된 산화티탄 물질, 결정구조, 강자성 모멘트.