公开(公告)号：KR1020110096972A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100016568

申请日：2010-02-24

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김철성 ,  김우철

IPC: C04B35/495 ,  C01G31/02

CPC classification number: C04B35/495 ,  B28B1/265 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/763

Abstract: 본 발명은 스피넬 바나데이트 물질의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 더욱 상세하게는 본 발명은 이중의 이력곡선 안에서 0의 자기장(zero field)에서 다른 부호를 가지는 자화의 네가지 값의 결과를 갖는 유전상수(ε)의 메모리 효과를 나타내고, x-선 회절도에서 Fe
2+ 이온은 A 자리(사면체 자리), V
3+ 이온은 B 자리(팔면체자리)에 각각 위치하는 전형적인 FeV
2 O
4 의 입방 정스피넬 구조를 나타내며, 자화곡선에서 FeV
2 O
4 분말 물질의 N온도가 ZFC와 FC 곡선 사이에 큰 불가역 현상이 관찰되는 준강자성 특성을 보여주고 있고 109 K 근처에서 자화가 사라지는 N온도와 일치하며, FeV
2 O
4 의 물질에서 메모리 효과를 나타내는 현상이 자기이력곡선으로부터 자기장에서 자화가 갑자기 크게 증가하는(Jump) 현상으로 관찰되었으며, 109 K에서의 뫼스바우어 분광 스펙트럼에서 2-line의 형태를 보이며 이 온도가 N온도로 측정한 자기이력곡선의 결과와 같고, 초미세 자기장의 크기는 보통의 자성물질에서 흔히 볼 수 있는 0 K 근방에서 최대치가 되고 온도증가와 더불어 계속 감소하여 N온도에서 0이 되는 온도의존성과는 전혀 다른 전형적인 FeV
2 O
4 의 물질에서 볼 수 있는 현상이 나타나는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101132436B1

公开(公告)日：2012-03-30

申请号：KR1020100016568

申请日：2010-02-24

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김철성 ,  김우철

IPC: C04B35/495 ,  C01G31/02

Abstract: 본 발명은 스피넬 바나데이트 물질의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 더욱 상세하게는 본 발명은 이중의 이력곡선 안에서 0의 자기장(zero field)에서 다른 부호를 가지는 자화의 네가지 값의 결과를 갖는 유전상수(ε)의 메모리 효과를 나타내고, x-선 회절도에서 Fe
2+ 이온은 A 자리(사면체 자리), V
3+ 이온은 B 자리(팔면체자리)에 각각 위치하는 전형적인 FeV
2 O
4 의 입방 정스피넬 구조를 나타내며, 자화곡선에서 FeV
2 O
4 분말 물질의 N온도가 ZFC와 FC 곡선 사이에 큰 불가역 현상이 관찰되는 준강자성 특성을 보여주고 있고 109 K 근처에서 자화가 사라지는 N온도와 일치하며, FeV
2 O
4 의 물질에서 메모리 효과를 나타내는 현상이 자기이력곡선으로부터 자기장에서 자화가 갑자기 크게 증가하는(Jump) 현상으로 관찰되었으며, 109 K에서의 뫼스바우어 분광 스펙트럼에서 2-line의 형태를 보이며 이 온도가 N온도로 측정한 자기이력곡선의 결과와 같고, 초미세 자기장의 크기는 보통의 자성물질에서 흔히 볼 수 있는 0 K 근방에서 최대치가 되고 온도증가와 더불어 계속 감소하여 N온도에서 0이 되는 온도의존성과는 전혀 다른 전형적인 FeV
2 O
4 의 물질에서 볼 수 있는 현상이 나타나는 효과가 있다.