公开(公告)号：KR1020170108619A

公开(公告)日：2017-09-27

申请号：KR1020160032810

申请日：2016-03-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 민경식 ,  신상학

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/06 ,  G11C7/10

Abstract: 본발명은이전의고정기준방식보다판독전압마진을개선하기위해순수한멤리스터어레이(pure memristor array) 내에서선택된셀의위치와선택되지않은셀의데이터패턴에따라기준전압이변경될수 있는동적기준방식을갖는저항메모리읽기회로및 구동방법을제공하기위한것으로서, 전처리판독(PRE_RD) 펄스에의해구동되어각 열별로감지된기준전압을감지하는전처리판독기(PRE_RD)와, N X M 멤리스터로구성되는순수한멤리스터어레이로이루어지고, 메인판독기(MAIN_RD) 펄스에의해구동되어상기전처리판독기(PRE_RD)에서감지된기준전압을이용하여선택된셀을판독하는메인판독기(MAIN_RD)와, 상기메인판독기(MAIN_RD)에서선택된셀과선택되지않은셀에서각각감지된출력전압을열-라인별기준전압과비교하여열(column) 별로기준전압이가장낮은저항상태( 'L') 및가장높은저항상태( 'H')의중간전압으로변경하는열(column) 감지증폭기를포함하여구성되는데있다.

Abstract translation: 动态地基于系统的本发明，可以改变根据细胞非选定位置和纯忆阻器阵列（纯忆阻器阵列）中所选择的单元的数据图案中的电压基准，以改善比以前的固定参考方法所读取的电压裕 （PRE_RD），其由预读出（PRE_RD）脉冲驱动并感测每列所感测的参考电压，以及由NXM忆阻器组成的纯存储元件 它包括一个晶闸管阵列，主读出器（MAIN_RD）由脉冲和通过使用由所述预处理读取器（PRE-RD）检测到的参考电压，从主读取器选择读取所选择的小区的主读出器（MAIN_RD）驱动（MAIN_RD） 通过将由单元和未选单元感测的输出电压与每列参考电压进行比较来确定最高电阻状态（'L'）和最高电阻状态（'H'）， 有由包括热（列）读出放大器，以改变中间电压。