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公开(公告)号：KR1020140055026A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120121254
申请日：2012-10-30
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01J1/02
CPC classification number: G01J1/029 , G01J1/42 , G01J2001/4453 , G01J2001/4466
Abstract: An apparatus for controlling an output gain of a silicon photomultiplier device according to the present invention comprises an analog signal processing unit for converting light incident on a silicon photomultiplier device into an analog voltage signal; a digital signal processing unit for receiving the analog voltage signal from the analog signal processing unit and converting the received analog voltage signal into a digital signal; and a control unit for controlling the digital signal processing unit and the silicon photomultiplier device. The control unit receives the digital signal from the digital signal processing unit, and compares the digital signal with a threshold value. When the digital signal exceeds the threshold value, the control unit adjusts the output gain of the silicon photomultiplier device by decreasing a voltage output from the silicon photomultiplier device.
Abstract translation: 根据本发明的用于控制硅光电倍增器装置的输出增益的装置包括：模拟信号处理单元，用于将入射在硅光电倍增器装置上的光转换为模拟电压信号; 数字信号处理单元，用于从模拟信号处理单元接收模拟电压信号，并将接收到的模拟电压信号转换为数字信号; 以及用于控制数字信号处理单元和硅光电倍增器装置的控制单元。 控制单元从数字信号处理单元接收数字信号，并将数字信号与阈值进行比较。 当数字信号超过阈值时，控制单元通过降低从硅光电倍增器装置输出的电压来调节硅光电倍增管装置的输出增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101707896B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020150147846
申请日：2015-10-23
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/08 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/109
Abstract: 실리콘광 증배소자에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른실리콘광 증배소자는기판, 기판상에형성되고복수의 PN 접합으로형성된마이크로픽셀및 복수의마이크로픽셀전체를에워싸도록형성된외부가드링그룹및 외부가드링그룹을에워싸도록형성된스토퍼 (stopper)를포함한다.
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公开(公告)号：KR101409882B1
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120121254
申请日：2012-10-30
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01J1/02
Abstract: 본 발명에 따른 실리콘 광전자 증배관 소자의 출력 이득 제어 장치는 실리콘 광전자 증배관 소자에 입사된 입사 광을 아날로그 전압 신호로 변환하는 아날로그 신호 처리부, 상기 아날로그 전압 신호를 상기 아날로그 신호 처리부로부터 전달받아 디지털 신호로 변환하는 디지털 신호 처리부 및 상기 디지털 신호 처리부 및 상기 실리콘 광전자 증배관 소자를 제어하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는 상기 디지털 신호를 상기 디지털 신호 처리부로부터 전달받아 임계치와 비교하고 상기 디지털 신호가 상기 임계치를 초과할 경우, 상기 실리콘 광전자 증배관 소자로부터 출력되는 전압을 감소시켜 상기 실리콘 광전자 증배관 소자의 출력 이득을 조절한다.
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公开(公告)号：KR1020140055040A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120121290
申请日：2012-10-30
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/101 , H01L27/14
CPC classification number: G01T1/248 , H01L27/1461
Abstract: Disclosed is a silicon photomultiplier with improved photo detection efficiency which consists of micro pixels. The micro pixel includes a silicon substrate of a p conductivity type or an n conductivity type; an epitaxial layer of the same conductivity type as a substrate formed on a substrate; an PN junction layer formed in the epitaxial layer; and an insulating layer which is formed with a silicon nitride layer on the PN junction layer to increase an effective photocurrent generated in the PN junction layer.
Abstract translation: 公开了具有由微像素组成的具有改进的光检测效率的硅光电倍增管。 微像素包括p导电型或n导电型的硅衬底; 与形成在基板上的基板相同的导电类型的外延层; 形成在外延层中的PN结层; 以及在PN结层上形成有氮化硅层的绝缘层，以增加在PN结层中产生的有效光电流。
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公开(公告)号：KR101707897B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020150147847
申请日：2015-10-23
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/08 , H01L31/101 , H01L31/109
Abstract: 실리콘광 증배소자에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른실리콘광 증배소자(Silicon Photomultiplier)는 P 타입의기판; 및기판상에형성된복수의 PN 접합이형성된마이크로픽셀및 P 타입의물질이형성된트랜치를포함하는액티브(Active) 영역을포함한다. 이때, 트랜치에포함된 P 타입물질의이온농도는기판에형성된 P 타입물질의이온농도보다높은것이고, 트랜치는상기복수의마이크로픽셀사이에배치되어각각의마이크로픽셀을분리하도록형성된다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的硅光电倍增器包括P型衬底; 并且，包括形成有在基板上形成的多个PN结的微型像素的有源区域和形成有P型材料的沟槽。 此时，沟槽中包含的P型材料的离子浓度高于形成在基板上的P型材料的离子浓度，并且在多个微像素之间形成沟槽以分离每个微像素。
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公开(公告)号：KR1020140055029A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120121269
申请日：2012-10-30
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L27/14 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/10 , H01L27/14 , H01L31/047
Abstract: Disclosed is a silicon photomultiplier element for reducing optical crosstalk comprising multiple micro-pixels. The silicon photomultiplier element according to the present invention comprises multiple trench structures for electrically separating micro-pixels from each other; and a filling material for filling the inside of the trench structure to reduce crosstalk between the micro-pixels.
Abstract translation: 公开了一种用于减少包含多个微像素的光串扰的硅光电倍增器元件。 根据本发明的硅光电倍增管元件包括用于将微像素彼此电分离的多个沟槽结构; 以及用于填充沟槽结构内部以减少微像素之间的串扰的填充材料。
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