公开(公告)号：KR101616377B1

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：KR1020140049179

申请日：2014-04-24

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이정훈 ,  이승근

IPC: G01S3/46 ,  H01Q21/06

Abstract: 본발명은, 방향탐지정확도가향상된 E.S.M. 위상인터페로미터시스템에관한것으로서, 더욱상세하게는전체수신주파수범위중 상대적으로방향탐지정확도가낮은영역과높은영역을구분하고, 상기영역에따라안테나배열간격을변경할수 있는위상인터페로미터방향탐지시스템에관한것이다. 상기목적을달성하기위하여, 본발명에의한위상인터페로미터방향탐지시스템의실시예의일 양태는, 다수의방향탐지안테나가일정한배열간격으로배치되는안테나어레이; 신호를수신하는수신안테나; 상기안테나어레이가수신한신호의위상을검출하는위상검출부; 상기수신안테나가수신한신호를전송받는수신부; 상기방향탐지안테나와상기수신안테나의연결상태를서로교체할수 있는스위치부; 및상기스위치부를제어하는제어부; 를포함할수 있다. 또한, 본발명에의한위상인터페로미터방향탐지시스템의실시예의다른일 양태는, 다수의방향탐지안테나가일정한배열간격으로배치되는안테나어레이; 신호를수신하는수신안테나; 상기안테나어레이가수신한신호의위상을검출하는위상검출부; 상기수신안테나가수신한신호를처리하는수신부; 상기방향탐지안테나사이의연결상태를서로교체할수 있는스위치부; 및상기스위치부를제어하는제어부; 를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150122967A

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：KR1020140049179

申请日：2014-04-24

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이정훈 ,  이승근

IPC: G01S3/46 ,  H01Q21/06

CPC classification number: G01S3/46 ,  H01Q21/06

Abstract: 본발명은, 방향탐지정확도가향상된 E.S.M. 위상인터페로미터시스템에관한것으로서, 더욱상세하게는전체수신주파수범위중 상대적으로방향탐지정확도가낮은영역과높은영역을구분하고, 상기영역에따라안테나배열간격을변경할수 있는위상인터페로미터방향탐지시스템에관한것이다. 상기목적을달성하기위하여, 본발명에의한위상인터페로미터방향탐지시스템의실시예의일 양태는, 다수의방향탐지안테나가일정한배열간격으로배치되는안테나어레이; 신호를수신하는수신안테나; 상기안테나어레이가수신한신호의위상을검출하는위상검출부; 상기수신안테나가수신한신호를전송받는수신부; 상기방향탐지안테나와상기수신안테나의연결상태를서로교체할수 있는스위치부; 및상기스위치부를제어하는제어부; 를포함할수 있다. 또한, 본발명에의한위상인터페로미터방향탐지시스템의실시예의다른일 양태는, 다수의방향탐지안테나가일정한배열간격으로배치되는안테나어레이; 신호를수신하는수신안테나; 상기안테나어레이가수신한신호의위상을검출하는위상검출부; 상기수신안테나가수신한신호를처리하는수신부; 상기방향탐지안테나사이의연결상태를서로교체할수 있는스위치부; 및상기스위치부를제어하는제어부; 를포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种E.S.M. 相位干涉仪系统，具有改进的测向精度，更具体地说，涉及将接收频率范围全部分成相对低的方向测定精度和高方向测量精度的相位干涉仪测向系统，并且可以根据该区域改变天线布置间隔。 相位干涉仪测向系统的一个方面包括：天线阵列，其中发现天线的多个方向以规则的排列间隔设置; 接收信号的接收天线; 相位检测单元，其检测由天线阵列接收的信号的相位; 接收由接收天线接收的信号的接收单元; 开关单元，其将测向天线和接收天线的连接状态彼此切换; 以及控制单元，其控制开关单元。 此外，相位干涉仪测向系统的另一方面包括：天线阵列，其中发现天线的多个方向以规则的排列间隔设置; 接收信号的接收天线; 相位检测单元，其检测由天线阵列接收的信号的相位; 接收单元，处理由接收天线接收的信号; 开关单元，其将测向天线和接收天线的连接状态彼此切换; 开关单元，其将测向天线和接收天线的连接状态彼此切换; 以及控制单元，其控制开关单元。

公开(公告)号：KR100804482B1

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：KR1020030001954

申请日：2003-01-13

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이승근 ,  류정호 ,  김현수

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 전자기기용 고전압 FET와 냉각판의 결합구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 본체와, 상기 본체의 내부에 마련된 회로기판과, 상기 본체의 내부에 마련되며 제 1 관통공이 형성된 냉각판과, 중앙부에는 상기 제 1 관통공과 연통되는 제 2 관통공이 형성되고 일측에는 상기 회로기판과 접속되는 연결핀이 형성되며, 상기 제 1 및 제 2 관통공에 삽입되는 볼트와 상기 볼트에 체결되는 너트에 의하여 상기 냉각판의 상면과 밀착/결합된 고전압 FET와, 상호 연통된 상기 제 1 관통공 및 제 2 관통공의 내주면과 상기 볼트의 외주면 사이에 삽입된 절연튜브와, 상기 고전압 FET와 상기 냉각판의 사이에 마련되어 상기 고전압 FET와 상기 냉각판을 절연시키는 절연지와, 상기 고전압 FET를 감싸면서 상기 고전압 FET를 다른 부품과 절연시키는 실리콘를 가지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 고전압 FET를 볼트와 너트를 이용하여 냉각판에 직접 결합하므로 조립시간이 단축되고, 절연지를 사용하므로 온도변화에 따른 균열의 우려가 없다.

公开(公告)号：KR101663639B1

公开(公告)日：2016-10-07

申请号：KR1020150057235

申请日：2015-04-23

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이현구 ,  김윤수 ,  이승근

IPC: H04L12/873 ,  H04L12/863 ,  H04L12/865 ,  H04L12/851

Abstract: 본발명은항공기(100)에서수집된데이터를지상센터(200)로전송하는항공임무연동장치의데이터전송시스템(1)에관한것으로, 수집된데이터를데이터속성을기준으로범주화된클래스에따라분류하는클래스분류부(10); 데이터의클래스와수집된순서를기초로데이터에큐(queue)자원을할당하는큐 할당부(30); 클래스에따라부여된우선순위를기초로클래스별로항공기(100)와지상센터(200) 간데이터링크자원을차등적으로할당하는링크자원할당부(50); 및할당된데이터링크자원에대응하여큐에저장된데이터를추출하여지상센터(200)에전송하는전송부(70)를포함하는것을특징으로한다. 이를통하여, 데이터전송시스템(1)에서는정보에따라자원을동적으로할당하고, 정보의속성에따른우선순위를부여한전송스케쥴링을구축하여자원의활용도와 QoS을보장할수 있다.

公开(公告)号：KR1020040064959A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：KR1020030001954

申请日：2003-01-13

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 이승근 ,  류정호 ,  김현수

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A coupling structure of a high-voltage FET for electronic device and a cooling plate is provided to combine the high-voltage FET with a cooling plate by using a bolt and a nut. CONSTITUTION: A PCB(30) is installed in an inside of a main body. A cooling plate(10) is installed in the inside of the main body. A first through-hole(11) is formed on the cooling plate. A second through-hole(53) is formed at a center of a high-voltage FET(50). A connection pin(51) is formed at one side of the high-voltage FET. The high-voltage FET is coupled to the cooling plate by using a bolt and a nut. An insulating tube(67) is inserted between inner circumferences of the first and the second through-holes and an outer circumference of the bolt. An insulator(65) is formed between the high-voltage FET and the cooling plate. A silicon layer(70) is formed around the high-voltage FET.

Abstract translation: 目的：提供用于电子设备的高电压FET和冷却板的耦合结构，通过使用螺栓和螺母将高压FET与冷却板组合。 构成：PCB（30）安装在主体的内部。 冷却板（10）安装在主体的内部。 第一通孔（11）形成在冷却板上。 第二通孔（53）形成在高电压FET（50）的中心。 在高电压FET的一侧形成连接引脚（51）。 高压FET通过使用螺栓和螺母联接到冷却板。 绝缘管（67）插入在第一和第二通孔的内圆周和螺栓的外周之间。 在高电压FET和冷却板之间形成绝缘体（65）。 在高电压FET周围形成硅层（70）。