公开(公告)号：KR100270610B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019980033650

申请日：1998-08-19

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 강봉구 ,  이재길 ,  이일상 ,  오태경

IPC: H01L21/328

Abstract: 본 발명은 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법은 에미터를 습식식각하는 과정에서 에미터 전극과 에미터의 접촉저항을 줄이기 위해 형성하는 저항감소층 및 베이스가 식각되어 에미터 및 베이스의 저항이 증가하게 되어 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 특성이 열화되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 상기 에미터를 식각하는 과정에서 그 상부의 저항감소층 측면에 식각방지막을 형성하고, 그 에미터와 베이스를 선택적으로 식각하는 선택적 식각용액으로 에미터를 식각하여 에미터를 식각할 때, 저항감소층과 베이스가 식각되는 것을 방지하여 에미터와 베이스의 저항이 증가하는 것을 방지함으로써, 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 특성을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020000014294A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980033650

申请日：1998-08-19

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 강봉구 ,  이재길 ,  이일상 ,  오태경

IPC: H01L21/328

Abstract: PURPOSE: When the hetero junction bipolar transistor is manufactured, the resistance of the emitter is increased by the etching of the indium gallium-arsenic (InGaAs) layer, which is formed to reduce the contact pressure between the emitter electrode and the electrode in the process of wet etching the aluminum gallium-arsenic (AlGaAs), the active emitter area. The thin base layer from etching increases the base resistance and reducing the maximum oscillation frequency depletes the transistor. CONSTITUTION: The n-collector layer (2), the gallium-arsenic base layer (3), the aluminum gallium-arsenic layer (4), the gallium-arsenic layer (5) and the indium gallium-arsenic layer (6) is laminated orderly on the upper board (1). The upper part of the indium gallium-arsenic layer (6) is exposed in the process of the photo etching. The emitter metal layer (7) is evaporated on the upper part of the exposed indium gallium-arsenic layer (6). After etching the indium gallium-arsenic (6) with the emitter metal layer (7) and the gallium-arsenic layer, the aluminum gallium-arsenic is exposed. After evaporating the field nitrogen (10) is evaporated on the front keeps it in the side of the gallium-arsenic layer (5) and the indium gallium-arsenic layer (6). The part of the gallium base layer (3) is exposed by wet etching the exposed aluminum gallium-arsenic layer and the lower gallium-arsenic base layer (3) with optionally etching liquid. The base metal layer and the aluminum gallium-arsenic (4) are formed in the upper part. Evaporating the metal in the lower part of the board forms the collector metal.

Abstract translation: 目的：当制造异质结双极晶体管时，通过蚀刻形成的铟镓砷（InGaAs）层来增加发射极的电阻，该铟镓砷（InGaAs）层在该过程中减小发射极和电极之间的接触压力 湿法蚀刻铝镓砷（AlGaAs），有源发射极区域。 来自蚀刻的薄基层增加了基极电阻并降低了最大振荡频率使晶体管耗尽。 构成：n集电体层（2），镓 - 砷基层（3），铝镓砷层（4），镓 - 砷层（5）和铟镓砷层（6）是 层叠在上板（1）上。 铟镓砷层（6）的上部在光蚀刻的过程中暴露。 发射极金属层（7）在暴露的铟镓砷层（6）的上部被蒸发。 在用发射极金属层（7）和镓 - 砷蚀刻铟镓砷（6）之后，露出铝镓砷。 蒸发后，氮气（10）在前面蒸发，将其保留在镓 - 砷层（5）和铟镓砷层（6）的一侧。 通过用任意蚀刻液体湿式蚀刻暴露的铝镓砷层和下部的镓 - 砷基底层（3），使镓基底层（3）的一部分暴露出来。 贱金属层和铝镓砷（4）形成在上部。 在板的下部蒸发金属形成集电极金属。