公开(公告)号：KR101840566B1

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：KR1020160139943

申请日：2016-10-26

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 김인선 ,  이창훈 ,  정진철

IPC: H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F3/60 ,  H03F1/56 ,  H03K5/135 ,  H03K17/693

CPC classification number: H03F3/19 ,  H03F1/56 ,  H03F3/211 ,  H03F3/602 ,  H03K5/135 ,  H03K17/693

Abstract: 본발명은단일칩고주파집적회로에관한것으로서, 더상세하게는스위칭경로회로를이용하여광대역특성을구현한갈륨비소(GaAs) 단일칩고주파집적회로장치에대한것이다.본발명에따르면, 약 6 ~ 18 GHz 대역의초 광대역에서동작하는전자전용다기능집적회로를갈륨비소(GaAs) 공정을이용하여 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 형태로구현할수 있다.