Abstract:
본발명은환원그래핀산화물복합체의제조방법에관한것으로, 흑연산화물과도전제의혼합물에마이크로파를주사하여환원그래핀산화물복합체를제조하는과정에서, 상기도전제로서나노환원그래핀산화물을사용함으로써, 이물질이잔류하지않는환원그래핀산화물복합체를제조할수 있다. 또한, 이와같은제조방법에의해제조된환원그래핀산화물복합체는이물질이포함되어있지않으므로, 기존일반적인슈퍼커패시터제작과정에서환원그래핀산화물에포함된이물질에의해서전체활물질의비율이감소하는문제를방지하여슈퍼커패시터의성능을향상시키는효과가있다.
Abstract:
본발명은환원그래핀산화물복합체의제조방법에관한것으로, 흑연산화물과도전제의혼합물에마이크로파를주사하여환원그래핀산화물복합체를제조하는과정에서, 상기도전제로서나노환원그래핀산화물을사용함으로써, 이물질이잔류하지않는환원그래핀산화물복합체를제조할수 있다. 또한, 이와같은제조방법에의해제조된환원그래핀산화물복합체는이물질이포함되어있지않으므로, 기존일반적인슈퍼커패시터제작과정에서환원그래핀산화물에포함된이물질에의해서전체활물질의비율이감소하는문제를방지하여슈퍼커패시터의성능을향상시키는효과가있다.