고광전도 박막
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101063301B1

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:KR1020090092781

    申请日:2009-09-30

    Abstract: 고광전도 박막이 개시된다. 고광전도 박막은 Cd
    1-x S
    x H
    y (0.4≤x≤0.6, y(H
    2 /(H
    2 +Ar))≤0.5) 조성을 갖고, 근 적외선 영역부터 가시광선 영역인 1.2 eV 내지 2.8 eV의 에너지 준위를 갖는 광을 흡수한다. 상기와 같은 고광전도 박막에 따르면, 유연하면서도 높은 광전도 및 광민감도를 가진다. 특히, 이러한 고광전도 박막은 전자파 차폐 또는 투과를 임의로 선택할 수 있는 장점이 있다.
    고광전도, 박막, 스퍼터링, 폴리머, 황화 카드뮴

    고광전도 박막
    2.
    发明公开
    고광전도 박막 有权
    高光电薄膜

    公开(公告)号:KR1020110035172A

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:KR1020090092781

    申请日:2009-09-30

    CPC classification number: H01L31/0296 H01L31/0392 H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A high photoconductive thin film is provided to maintain photo-resistance below a fixed level and to keep photo-sensitivit above a fixed level, thereby realizing high photoconductivity and superior photo-sensitivity. CONSTITUTION: A high photoconductive thin film includes Cd1-xSxHy(0.4

    Abstract translation: 目的:提供高光导薄膜,以保持光电阻低于固定水平,并将光敏度保持在固定水平以上,从而实现高光电导性和卓越的光敏性。 构成:高光导薄膜包括Cd1-xSxHy(0.4 <= x <= 0.6,y(H2 / H2 + Ar)<= 0.5)组成。 高光导薄膜吸收从近红外线区域到可见光区域的光。 高光导薄膜通过RF溅射技术沉积在柔性基板上。 使用RF溅射技术的沉积期间施加的压力在0.01至1帕斯卡的范围内。

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